WikiSort.ru - Не сортированное

Анизотро́пное магнетосопротивле́ние (анизотропный магниторезистивный эффект) — квантовомеханический эффект, заключающийся в изменении электрического сопротивления ферромагнитных проволок в зависимости от их ориентации относительно внешнего магнитного поля.

Математическая формулировка

Под величиной магнитосопротивления обычно понимают отношение

${\displaystyle \delta _{H}={\frac {\rho (H)-\rho (0)}{\rho (H)}},}$

где ${\displaystyle \rho (H)}$  — удельное сопротивление образца в магнитном поле напряженностью ${\displaystyle H}$ ^[1][2]. На практике так же применяются альтернативные формы записи, отличающиеся знаком выражения и использующие интегральное значение сопротивления^[3].

Теория

В ферромагнитных материалах наподобие железа, кобальта, никеля и их сплавов, электрическое сопротивление зависит от угла между направлением намагниченности образца и внешним магнитным полем. Данная зависимость обусловлена магнитной анизотропией, которая проявляется в неодинаковости магнитных свойств тела по различным направлениям. Причина магнитной анизотропии заключается в спин-орбитальном взаимодействии электронов, приводящем к спин-зависимому рассеянию электронов (коэффициент рассеяния для спинов сонаправленных и противонаправленных по отношению к намагниченности образца будет различный). Особенно велика магнитная анизотропия в монокристаллах ферромагнетиков, где она проявляется в наличии осей лёгкого намагничивания, вдоль которых направлены векторы самопроизвольной намагниченности ферромагнитных доменов.

На практике, удельное сопротивление образца в нулевом поле ${\displaystyle \rho _{0}}$ достаточно точно аппроксимируется зависимостью

${\displaystyle \rho _{0}={\frac {1}{3}}\rho _{\parallel }+{\frac {2}{3}}\rho _{\perp },}$

где ${\displaystyle \rho _{\parallel }}$  — удельное сопротивление при ориентации образца параллельно магнитному полю, а ${\displaystyle \rho _{\perp }}$  — перпендикулярно ему^[4].

Эффект достаточно слабый: в ферромагнитных материалах (например, плёнках пермаллоя) величина магнетосопротивления при комнатной температуре не превышает ${\displaystyle 2-3\%}$ ^[5].

Принципы использования

Анизотропный магниторезистивный эффект лучше всего проявляется при изготовлении чувствительного элемента в виде тонкой полоски с геометрическими размерами, которые удовлетворяют условию

${\displaystyle d<b\ll L,}$

где ${\displaystyle d}$ — высота, ${\displaystyle b}$ — ширина, ${\displaystyle L}$ — длина полоски.

При выполнении данного условия сопротивление полоски достаточно велико и она имеет одноосную анизотропию. Одноосная анизотропия проявляется в том, что ферромагнетик плёнки ведет себя подобно единственному домену, который под воздействием внешнего магнитного поворачивается вокруг своей оси. При этом однодоменность по толщине не означает однодоменности по всей площади плёнки, хотя в некоторых случаях и не исключает этого ^[6].

На схемотехническом уровне АМР датчики обычно представляют собой четыре эквивалентных магниторезистора, сформированных путём осаждения тонкого слоя пермаллоя на кремниевую пластину в форме квадрата соединённых по схеме, представляющей из себя плечи измерительного моста Уинстона ^[7].

Так же, в виду того, что в мостовых схемах магниторезисторы расположены на одной общей подложке и имеют одинаковый температурный режим работы, то, несмотря на сильную зависимость сопротивления АМР-резистора от температуры, изменение температуры незначительно влияет на напряжение на выходе моста.

У АМР-резисторов от температуры изменяется не только сопротивление, но и чувствительность, т.е.

${\displaystyle (\vartriangle R/R)/\vartriangle H,}$

где ${\displaystyle \vartriangle R}$ — изменение сопротивления в зависимости от изменения напряженности внешнего магнитного поляна величину${\displaystyle \vartriangle H}$ , ${\displaystyle R}$  — номинальное значение магнетосопротивления.

С ростом температуры чувствительность уменьшается. Для уменьшения этой зависимости последовательно с двумя магниторезисторами разных плеч мостовой схемы включают терморезистор с отрицательным ТКС.

Применение

Использовался в магнитных сенсорах до открытия эффекта гигантского магнитного сопротивления.^[5]

См. также

• Спинтроника
• Гигантское магнитное сопротивление
• Колоссальное магнитное сопротивление
• Туннельное магнитное сопротивление

Примечания

1. ↑ Никитин С. А. Гигантское магнитосопротивление // Соросовский обозревательный журнал. — 2004. — Т. 8, № 2. — С. 92—98. (недоступная ссылка)
2. ↑ Э. Л. Нагаев. Манганиты лантана и другие магнитные проводники с гигантским магнитосопротивлением // Успехи физических наук. — 1996. — Т. 166, № 8. — С. 833—858. — DOI:10.3367/UFNr.0166.199608b.0833.
3. ↑ Я. М. Муковский. Получение и свойства материалов с колоссальным магнетосопротивлением // Рос. хим. ж. — 2001. — Т. XLV, № 5—6. — С. 32—41.
4. ↑ Hari Singh Nalwa. Handbook of thin film materials: Nanomaterials and magnetic thin films. — Academic Press, 2002. — Vol. 5. — P. 514. — 633 p. — ISBN 9780125129084.
5. 1 2 Claude Chappert, Albert Fert and Frédéric Nguyen Van Dau (2007). “The emergence of spin electronics in data storage”. Nature Materials. 6: 813—823. DOI:10.1038/nmat2024.
6. ↑ Воробьев А. В. Математическая модель анизотропного магниторезистивного датчика  для инженерных расчетов // Вестник Уфимского государственного авиационного технического университета. — 2012. — Т. 16, № 1.
7. ↑ Howard Mason. Basic Introduction to the use of Magnetoresistive Sensors (неопр.). Zetex (сентябрь 2003).

Это заготовка статьи по физике. Вы можете помочь проекту, дополнив её.