WikiSort.ru - Не сортированное

Туннельное магни́тное сопротивле́ние или туннельное магнитосопротивление (сокр. ТМС, англ. Tunnel magnetoresistance, сокр. TMR) — квантовомеханический эффект, проявляется при протекании тока между двумя слоями ферромагнетиков, разделенных тонким (около 1 нм) слоем диэлектрика. При этом общее сопротивление устройства, ток в котором протекает из-за туннельного эффекта, зависит от взаимной ориентации полей намагничивания двух магнитных слоев. Сопротивление выше при антипаралельной намагниченности слоев. Эффект туннельного магнитного сопротивления похож на эффект гигантского магнитного сопротивления, но в нем вместо слоя немагнитного металла используется слой изолирующего туннельного барьера.

Эффект был открыт в 1975 году Мишелем Жюльером, использовавшим железо в качестве ферромагнетика и германий в качестве диэлектрика. Он проявлялся при температуре 4,2 К, поэтому не привлек к себе внимания из-за отсутствия практического применения^[1].

При комнатной температуре действие эффекта впервые было открыто в 1995 году Терунобу Миязаки и независимо от него группой ученых во главе с Джагадишем Мудера при возобновлении интереса к исследованиям в этой области после открытия эффекта гигантского магнитного сопротивления. В настоящее время на основании эффекта туннельного магнитного сопротивления создана магниторезистивная оперативная память (MRAM), и он также применяется в считывающих головках жестких дисков.

В 2001 году группа Батлера и группа Матона независимо сделали теоретическое предсказание, что при использовании железа в качестве ферромагнетика и оксида магния в качестве диэлектрика эффект туннельного магнитного сопротивления может возрасти на несколько тысяч процентов. В 2004 году группа Перкина и группа Юаса смогли изготовить устройства на основе Fe/MgO/Fe и достичь величины туннельного магнитосопротивления в 200% при комнатной температуре.

В 2007 году устройства на основе туннельного магниторезистивного эффекта с оксидом магния полностью заменили устройства на основе эффекта гигантского магнитного сопротивления на рынке устройств магнитного хранения информации.

Примечания

Это заготовка статьи по физике. Вы можете помочь проекту, дополнив её.

Для улучшения этой статьи по физике желательно: Найти и оформить в виде сносок ссылки на независимые авторитетные источники, подтверждающие написанное.