Процессор в памяти, Processor-in-memory (PIM), или Вычисляющее ОЗУ или Computational RAM, C-RAM, также, «Вычисления в памяти», называют процессор, тесно интегрированный в память, как правило, на одном кремниевом кристалле, либо оперативную память с интегрированными вычисляющими элементами.
Главная цель объединения процессорного компонента и компоненты памяти таким способом—уменьшение латентности (времени отклика) памяти и увеличение пропускной способности. Достигнутое таким путём сокращение расстояния, на которое данные должны быть перенесены снижает требования к мощности системы. Большинство сложности современных процессоров (а, следовательно, и их энергопотребления) вытекает из требования избегания задержек обмена данных с памятью, и реализации этой стратегии в кремнии.
В 1980-х годах, крошечный процессор, исполняющий программы FORTH был изготовлен в DRAM чипе для ускорения операций PUSH и POP. FORTH является стек-ориентированным языком программирования, и это повысило его эффективность.
Транспьютер также имел большую память на чипе, учитывая, что эти чипы были изготовлены в начале 1980-х годов, это делает его, по существу, Процессором-в-памяти.
Заметные PIM проекты включают: проект IRAM в университете Калифорнии, Беркли; и PIM проект в Университете Нотр-Дам.
Вычисляющее ОЗУ или C-RAM — это ОЗУ с процессорными элементами, интегрированными в проект единой микросхемы. Это позволяет использовать его в качестве SIMD компьютера. Он также может использоваться для более эффективного использования пропускной способности памяти в памяти чипа.
Пожалуй, наиболее влиятельные, в этой области, реализации вычисляющих ОЗУ пришли из проекта IRAM в Беркли.
В некоторых чрезвычайно параллельных (embarrassingly parallel) вычислительных задачах уже архитектура фон Неймана ставит ограничения в виде узкого места между CPU и DRAM (Узкое место архитектуры фон Неймана). Некоторые исследователи считают, что для той же суммарной стоимости, машина, построенная в вычислительной оперативной памяти будет работать на порядок быстрее, чем в традиционных ЭВМ общего назначения на эти видах задач.
На 2011 год, процессы изготовления чипов, «DRAM процесс» (немного слоев; регулярные топологические структуры; оптимизирован для высокой электрической ёмкости) и «CPU процесс» (много слоев; процесс оптимизирован для высокой частоты; относительно дорогой на квадратный миллиметр) отличаются достаточно сильно, так, что есть три подхода к изготовлению Вычисляющего ОЗУ:
В этой статье не хватает ссылок на источники информации. |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .