| Теллурид свинца | |
|---|---|
 | |
| Общие | |
| Хим. формула | PbTe |
| Физические свойства | |
| Состояние | твердый |
| Молярная масса | 334,80 г/моль |
| Плотность |
8,16 г/см3 Период решетки 0,646 нм |
| Термические свойства | |
| Т. плав. | 924 °C |
| Коэфф. тепл. расширения | 19,8*10-6 K-1 |
| Структура | |
| Кристаллическая структура | кубическая, структура NaCl |
| Классификация | |
| Рег. номер CAS | 1314-91-6 |
| PubChem | 4389803 |
| Рег. номер EINECS | 215-247-1 |
| SMILES | |
| InChI | |
| ChemSpider | 3591410 |
| Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иного. | |
Теллури́д свинца́ (PbTe) — бинарное неорганическое химическое соединение свинца и теллура, кристаллизующееся в кубической структуре типа NaCl. Узкозонный прямозонный полупроводник группы AIVBVI [1] с шириной запрещённой зоны 0,31 эВ при 300 K. Популярный термоэлектрический материал. Встречается в природе в виде минерала алтаита.
Теллурид свинца имеет необычно высокую для полупроводников диэлектрическую проницаемость ( 410 при 300 K), величина которой увеличивается до 3000 при охлаждении до 4,2 K. Поэтому теллурид свинца относят к виртуальным сегнетоэлектрикам[2].
Большое практическое значение имеет тройное соединение свинец-олово-теллур, имеющее ширину запрещенной зоны, зависящую от количества олова. Оно используется при изготовлении фоторезисторов, фотодиодов, лазеров, работающих в инфракрасной области спектра.
Примечания
- ↑ “Глубокие и резонансные состояния в полупроводниках типа A4B6” (PDF). Успехи физических наук. 145: 51–86. 1985.
- ↑ Bate, RT; Carter, DL; Wrobel, JS (1970). “Paraelectric Behavior of PbTe”. Phys. Rev. Lett. 25: 159–162. DOI:10.1103/PhysRevLett.25.159.
Ссылки
- G. Nimtz, B. Schlicht. "Narrow-gap lead salts". In: Narrow-gap semiconductors. Springer Tracts in Modern Physics, vol. 98, p. 1-117 (1983).
- Dalven, R. A review of the semiconductor properties of PbTe, PbSe, PbS and PbO, Infrared Physics, 9, 141 - 184 (1969)
- H. Preier. Recent Advances in Lead-Chalcogenide Diode Lasers, Applied Physics 10, 189-206, 1979.
- H. Maier and J. Hesse. "Growth, Properties and Applications of Narrow-Gap Semiconductors" in Crystal Growth, Properties and Applications, ed. H.C. Freyhardt, 145-219, Springer Verlag, Berlin, 1980.
 | Для улучшения этой статьи желательно: |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .