Полупроводнико́вая пласти́на — полуфабрикат в технологическом процессе производства полупроводниковых приборов, микросхем и фотогальванических элементов.
Изготавливается из монокристаллов германия, кремния, карбида кремния, арсенида и фосфида галлия и других полупроводниковых материалов.
Представляет собой тонкую (250—1000 мкм) пластину диаметром в современных технологических процессах до 450 мм, на поверхности которой с помощью операций планарной технологии формируется массив дискретных полупроводниковых приборов или интегральных схем.
После создания массива необходимых полупроводниковых структур пластину после надсечки по линиям разлома алмазным инструментом разламывают на отдельные кристаллы (чипы).
Промышленный выпуск полупроводниковых пластин имеет существенное значение для производства интегральных микросхем и полупроводниковых приборов.
Кремниевые пластины изготавливаются из сверхчистого (чистота порядка 99,9999999 %)[1] монокристалла кремния, с низкой концентрацией дефектов и дислокаций[2]. Монокристаллы кремния выращиваются методом Чохральского[3][4]. Также монокристаллы выращивают и методом зонной плавки.
Затем монокристалл разрезается на тонкие пластины стопкой алмазных дисков с внутренней режущей кромкой или проволочной пилой с использованием суспензии алмазной пыли, распил ведут параллельно определенной кристаллографической плоскости (для кремния это обычно плоскость {111}). Контроль ориентации распила относительно кристаллографической плоскости контролируют рентгеноструктурным методом.
После распиливания монокристалла пластины подвергают механической шлифовке и полировке до оптической чистоты поверхности и завершают подготовку поверхности химическим стравливанием тонкого слоя для удаления микротрещин и дефектов поверхности, оставшихся после механической полировки[5].
Далее в большинстве технологических процессов на одну из поверхностей пластины наносят эпитаксиальным методом тонкий слой сверхчистого кремния со строго заданной концентрацией легирующей примеси. В этом слое в последующих технологических операциях формируют с помощью диффузии примесей, окисления, напыления плёнок, структуры множества полупроводниковых приборов или интегральных микросхем.
Диаметры круглой пластины:
Наиболее популярные размеры по состоянию на 2011 год: 300 мм, 200 мм, 150 мм[7]. Наиболее современные техпроцессы (начиная примерно со 130 нм) по изготовлению СБИС обычно используют 300 мм пластины.
![]() |
Полупроводниковая пластина на Викискладе |
---|
Для улучшения этой статьи желательно: |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .