Один из технологических процессов в электронной промышленности, процесс разделения полупроводниковых пластин на отдельные кристаллы включает в себя:
Параметры | Метод разделения: | ||
---|---|---|---|
скрайбирование алмазным резцом | скрайбирование лазерным лучом | резка диском | |
Обрабатываемый материал | |||
Максимально возможная скорость обработки кремния, мм/с | |||
Максимальная скорость, обеспечивающая нормальное качество разделения, мм/с | |||
Глубина реза, мкм | |||
Ширина реза, мкм | |||
Обработка пластины с окислом | |||
Качество граней кристалла | |||
Направление движения инструмента | |||
Требования к точности кристаллографической ориентации | |||
Загрязнение поверхности пластины продуктами отхода (крошка, испарения) | |||
Максимальный выход годных схем после разделения, % |
Скрайбирование заключается в нанесении на поверхность пластины в двух взаимно перпендикулярных направлениях рисок, например алмазным резцом, диском, проволокой или лучом лазера. Под рисками образуются напряженные области, по которым после приложения к пластине механического воздействия происходит ломка пластины.
В случае резки пластины резцом в отечественном производстве применялись резцы с алмазным наконечником, с рабочей частью в виде: трёхгранной пирамиды – для резки пластин толщиной от 100 до 250 мкм из германия; четырёхгранной пирамиды с острой вершиной - для резки пластин толщиной от 250 до 500 мкм из кремния; четырёхгранная усёченной пирамиды – для резки пластин одной из четырех заостренных граней. При резке на кристаллы пластин кремния и германия толщиной 125 мкм, минимальный шаг резки составлял 0,4 и 0,5 мм для кремния и германия соответственно, нагрузка резца на пластину 0,5 Н и 0,1 Н соответственно при скорости нанесения рисок 0,025 м/мин и 0,03 м/мин соответственно. Глубина рисок после одного хода алмазной резки – 7 мкм, для обеспечения удовлетворительного качества разламывания после резки глубина реза должна быть не менее 2/3 исходной толщины пластины. При скрайбировании большу́ю роль играет соотношение ширины кристаллов и толщины разрезаемой пластины. Оптимальным считается отношение ширина (длины) кристалла и толщины пластины 6:1, минимум 4:1. Если толщина пластины становится соизмеримой с шириной (длиной) отрезаемого кристалла, то излом пластины после скрайбирования происходит в произвольном направлении.
Для скрайбирования также применяют энергию лазерного излучения – скрайберные риски создаются испарением полупроводникового материала с поверхности пластины при её перемещении относительно сфокусированного лазерного пучка, имеющего большую мощность излучения. При испарении полупроводникового материала, которое происходит при высокой температуре, в ослабленном канавкой сечении пластины возникают термические напряжения, а сама канавка, являясь узкой (до 25 – 40 мкм) и глубокой (до 50 – 100 мкм) по форме, выполняет роль концентратора механических напряжений. Наряду с созданием глубокой разделительной канавки, вследствие отсутствия механического воздействия на рабочей поверхности пластины не образуются микротрещины и сколы, что позволяет поднять скорость скрайбирования до 200 мм/с и выше. Защита и очистка пластины от конденсатов полупроводникового материала обеспечивается:
Ломают скрайбированную пластину
Таким образом, разламывание происходит в две стадии: вначале на полоски, а затем на отдельные кристаллы. Чтобы полоски или кристаллы в процессе ломки не смещались относительно друг друга в процессе ломки (это может привести к произвольному разламыванию и царапанью кристаллов друг о друга), перед ломкой пластину покрывают сверху эластичной плёнкой (полиэтиленовой, лавсановой), что позволяет в процессе ломки сохранить ориентацию полосок и кристаллов. Для сохранения ориентации кристаллов для последующих операций (особенно это важно при автоматизированной сборке) иногда пластину, перед разделением на кристаллы, закрепляют на специальной подложке – спутнике. Кристаллы между операциями на спутнике закрепляют:
Ввиду того, что вручную тяжело правильно подобрать необходимое усилие прижима, в современном процессе производства полупроводниковой продукции широко применяется техника и автоматизация. И хотя современное оборудование позволяет выдержать шаг скрайбирования с точностью до ±10 мкм, после разламывания размеры готовых кристаллов имеют значительный разброс, обусловленный влиянием кристаллографической ориентации пластин. При подготовке к сборке перед контролем кристалла его поверхность очищают от различных загрязнений. Более удобно (в технологическом плане) провести эту очистку непосредственно после скрайбирования и перед разломкой на кристаллы – отходы обработки, в виде крошки, потенциально являются причиной появления брака.
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .