WikiSort.ru - Не сортированное

ПОИСК ПО САЙТУ | о проекте
Карбид кремния
Общие
Хим. формула SiC
Физические свойства
Состояние кристаллы, друзы или кристаллические порошки от прозрачного белого, желтого, зеленого или темно-синего до чёрного цветов, в зависимости от чистоты, дисперсности, аллотропных и политипных модификаций.
Молярная масса 40.0962 г/моль
Плотность 3,21 г/см³[1]
Твёрдость 9.5
Энергия ионизации 9,3 ± 0,1 эВ[2]
Термические свойства
Т. плав. (с разл.) 2730 °C
Т. субл. 4892 ± 1 градус Фаренгейта[2]
Давление пара 0 ± 1 мм рт.ст.[2]
Химические свойства
Растворимость в воде нерастворим
Растворимость в кислотах нерастворим
Оптические свойства
Показатель преломления 2.55[3]
Классификация
Рег. номер CAS 409-21-2
PubChem 9863
Рег. номер EINECS 206-991-8
SMILES
InChI
RTECS VW0450000
ChEBI 29390
ChemSpider 9479
Безопасность
Токсичность
Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иного.

Карби́д кре́мния (карбору́нд) — бинарное неорганическое химическое соединение кремния с углеродом. Химическая формула SiC. В природе встречается в виде чрезвычайно редкого минерала — муассанита. Порошок карбида кремния был получен в 1893 году. Используется как абразив, полупроводник, для имитирующих алмаз вставок в ювелирные украшения.

Открытие и начало производства

Повторение эксперимента Г. Д. Раунда

О ранних, не систематических и часто непризнанных синтезах карбида кремния сообщали Деспретз (1849), Марсден (1880) и Колсон (1882 год)[4]. Широкомасштабное производство начал Эдвард Гудрич Ачесон в 1893. Он запатентовал метод получения порошкообразного карбида кремния 28 февраля 1893[5]. Ачесон также разработал электрическую печь, в которой карбид кремния создаётся до сих пор. Он основал компанию The Carborundum Company для производства порошкообразного вещества, которое первоначально использовалось в качестве абразива[6].

Исторически первым способом использования карбида кремния было использование в качестве абразива. За этим последовало применение и в электронных устройствах. В начале XX века карбид кремния использовался в качестве детектора в первых радиоприемниках[7]. В 1907 году Генри Джозеф Раунд создал первый светодиод, подавая напряжение на кристаллы SiC и наблюдая за жёлтым, зелёным и оранжевым излучением на катоде. Эти эксперименты были повторены О. В. Лосевым в СССР в 1923 году[8].

Формы нахождения в природе

Монокристалл муассанита (~1 мм в размере)

Природный карбид кремния — муассанит можно найти только в ничтожно малых количествах в некоторых типах метеоритов и в месторождениях корунда и кимберлита. Практически любой карбид кремния, продаваемый в мире, в том числе и в виде муассанитового украшения, является синтетическим. Природный муассанит был впервые обнаружен в 1893 году в виде небольших шестиугольных пластинчатых включений в метеорите Каньон Диабло в Аризоне Фердинандом Анри Муассаном, в честь которого и был назван минерал в 1905 году[9]. Исследование Муассана о естественном происхождении карбида кремния было изначально спорным, потому что его образец мог быть загрязнён крошкой карбида кремния от пилы (в то время пилы уже содержали данное вещество)[10].

Хоть карбид кремния и является редким веществом на Земле, он широко распространён в космосе. Это вещество встречается в пылевых облаках вокруг богатых углеродом звёзд, также его много в первозданных, не подвергшихся изменениям, метеоритах (почти исключительно в форме бета-полиморфа). Анализ зёрен карбида кремния, найденных в углеродистом хондритовом метеорите Мёрчисон, показал аномальное изотопное соотношение углерода и кремния, что указывает на происхождение данного вещества за пределами Солнечной системы: 99 % зёрен SiC образовалось около богатых углеродом звёзд, принадлежащих к асимптотической ветви гигантов[11]. Карбид кремния можно часто обнаружить вокруг таких звёзд по их ИК-спектрам[12].

Производство

Из-за редкости нахождения в природе муассанита карбид кремния, как правило, имеет искусственное происхождение. Простейшим способом производства является спекание кремнезема с углеродом в графитовой электропечи Ачесона при высокой температуре 1600—2500 °C:

Синтетические кристаллы SiC ~ 3 мм в диаметре

Чистота карбида кремния, образующегося в печи Ачесона, зависит от расстояния до графитового резистора в ТЭНе.

Кристаллы высокой чистоты бесцветного, бледно-жёлтого и зелёного цвета находятся ближе всего к резистору. На большем расстоянии от резистора цвет изменяется на синий или чёрный из-за примесей. Загрязнителями чаще всего являются азот и алюминий, они влияют на электропроводность полученного материала[13].

Кристаллы карбида кремния, полученные благодаря процессу Лели[en]

Чистый карбид кремния можно получить с помощью так называемого процесса Лели[en][14], в котором порошкообразный SiC возгоняется в атмосфере аргона при 2500 °C и осаждается на более холодной подложке в виде чешуйчатых монокристаллов размерами до 2×2 см. Этот процесс дает высококачественные монокристаллы, получающиеся из-за быстрого нагрева до высоких температур и в основном состоящие из 6H-SiC фазы. Улучшенный процесс Лели при участии индукционного нагрева в графитовых тиглях дает ещё большие монокристаллы до 10 см в диаметре[15]. Кубический SiC, как правило, выращивается с помощью более дорогостоящего процесса — химического осаждения паров[13][16].

Чистый карбид кремния также может быть получен путём термического разложения полимера полиметилсилана (SiCH3)n, в атмосфере инертного газа при низких температурах. Относительно CVD-процесса метод пиролиза более удобен, поскольку из полимера можно сформировать изделие любой формы перед запеканием в керамику[17][18][19][20].

Структура и свойства

Известно примерно 250 кристаллических форм карбида кремния[21]. Полиморфизм SiC характеризуется большим количеством схожих кристаллических структур, называемых политипами. Они являются вариациями одного и того же химического соединения, которые идентичны в двух измерениях, но отличаются в третьем. Таким образом, их можно рассматривать как слои, сложенные в стопку в определённой последовательности[22].

Альфа-карбид кремния (α-SiC) является наиболее часто встречающимся полиморфом. Эта модификация образуется при температуре свыше 1700 °C и имеет гексагональную решётку, кристаллическая структура типа вюрцита.

Бета-модификация (β-SiC), с кристаллической структурой типа цинковой обманки (аналог структуры алмаза), образуется при температурах ниже 1700 °C[23]. До недавнего времени бета-форма имела сравнительно небольшое коммерческое использование, однако в настоящее время в связи с использованием его в качестве гетерогенных катализаторов интерес к ней увеличивается. Нагревание бета-формы до температур свыше 1700°С способно приводить к постепенному переходу кубической бета-формы в гексагональную (2Н, 4Н, 6Н, 8Н) и ромбичекую (15R).[24] При повышении температуры и времени процесса все образующиеся формы переходят в конечном итоге в гексагональный альфа-политип 6Н.[25]

Свойства основных политипов карбида кремния[26][27]
Политип3C (β)4H6H (α)
Кристаллическая структура Цинковая обманка (кубич.)ГексагональнаяГексагональная
Пространственная группа
Символ Пирсона
Постоянные решётки (Å)
Плотность (г/см³) 3.213.213.21
Ширина запрещенной зоны (эВ) 2.36 3.23 3.05
МОС (ГПа) 250220220
Теплопроводность (Вт/(см·К)) 3.63.74.9

Чистый карбид кремния бесцветен. Его оттенки от коричневого до чёрного цвета связаны с примесями железа. Радужный блеск кристаллов обусловливается тем, что при контакте с воздухом на их поверхности образуется плёнка из диоксида кремния, что приводит к пассивированию внешнего слоя.

Карбид кремния является весьма инертным химическим веществом: практически не взаимодействует с большинством кислот, кроме концентрированных фтористоводородной (плавиковой), азотной и ортофосфорной кислот. Способен выдерживать нагревание на открытом воздухе до температур порядка 1500°С. Карбид кремния не плавится при любом известном давлении, но способен сублимировать при температурах свыше 1700°С. Высокая термическая устойчивость карбида кремния делает его пригодным для создания подшипников и частей оборудования для высокотемпературных печей.

Существует большой интерес в использовании данного вещества в качестве полупроводникового материала в электронике, где высокая теплопроводность, высокое электрическое напряжение пробоя и высокая плотность электрического тока делают его перспективным материалом для высокомощных устройств[28], в том числе при создании сверхмощных светодиодов. Карбид кремния имеет очень низкий коэффициент теплового расширения (4,0⋅10−6K) и в достаточно широком температурном диапазоне эксплуатации он не испытывает фазовых переходов (в том числе фазовых переходов второго рода), из-за которых может произойти разрушение монокристаллов[13].

Электропроводность

Карбид кремния является полупроводником, тип проводимости которого зависит от примесей. Проводимость n-типа получается при легировании азотом или фосфором, а p-тип — с помощью алюминия, бора, галлия или бериллия[3]. Металлическая проводимость была достигнута за счет сильного легирования бором, алюминием и азотом.

Сверхпроводимость была обнаружена в политипах 3C-SiC:Al, 3C-SiC:B и 6H-SiC:B при одинаковой температуре — 1,5 К[29].

Физические свойства

Карбид кремния является твердым, тугоплавким веществом. Кристаллическая решетка аналогична решетке алмаза. Является полупроводником.[30]

Химические свойства

Карбид кремния является единственным бинарным соединением, образуемым элементами IV группы Периодической таблицы элементов Д. И. Менделеева. По типу химической связи карбид кремния относится к ковалентным кристаллам. Доля ионной связи, обусловленной некоторым различием в электроотрицательностях атомов Si и C, не превышает 10—12 %. Энергия ковалентной связи между атомами кремния и углерода в кристаллах SiC почти в три раза превышает энергию связи между атомами в кристаллах кремния. Благодаря сильным химическим связям карбид кремния выделяется среди других материалов высокой химической и радиационной стойкостью, температурной стабильностью физических свойств, большой механической прочностью и высокой твердостью. В инертной атмосфере карбид кремния разлагается только при очень высокой температуре:

Сильно перегретый пар разлагает карбид кремния:

Концентрированные окисляющие кислоты и их смеси растворяют карбид кремния:

В присутствии кислорода щёлочи растворяют карбид кремния:

При нагревании реагирует с кислородом:

с галогенами:
с азотом, образуя нитрид кремния:
с активными металлами:
и их пероксидами:

Применение

Абразивные и режущие инструменты

Режущие диски из карбида кремния

В современной гранильной мастерской карбид кремния является популярным абразивом из-за его прочности и низкой стоимости. В обрабатывающей промышленности из-за его высокой твердости он используется в абразивной обработке в таких процессах как шлифование, хонингование, водоструйная резка и пескоструйная обработка. Частицы карбида кремния ламинируются на бумагу для создания шлифовальной шкурки[33].

Суспензии мелкодисперсных порошков карбида кремния в масле, глицерине или этиленгликоле используются в процессе проволочной резки полупроводниковых монокристаллов на пластины.

В 1982 году случайно был обнаружен композит, состоящий из оксида алюминия и карбида кремния, кристаллы которого растут в виде очень тонких нитей [34].

Конструкционные материалы

Карбид кремния используется в качестве лицевого слоя композитной секции противопулевого бронежилета

Карбид кремния наряду с карбидом вольфрама и другими износостойкими материалами применяется для создания торцевых механических уплотнений.

В 1980-х и 1990-х годах карбид кремния исследовался в нескольких научно-исследовательских программах разработки высокотемпературных газовых турбин в США, Японии и Европе. Планировалось, что разработанные компоненты из карбида кремния заменят рабочие и сопловые лопатки турбин из никелевых жаропрочных сплавов. Тем не менее, ни один из этих проектов не привел к промышленному производству, в основном из-за низкого сопротивления ударным нагрузкам и низкой вязкости разрушения карбида кремния[35].

Подобно другим высокотвердым керамическим материалам (оксид алюминия и карбид бора), карбид кремния используется как компонент композитной брони, применяемой для защиты вооружения и военной техники, а также в виде составного элемента слоистой брони керамика/органопластик противопульных жилетов. В бронежилете «Кожа дракона», созданном компанией Pinnacle Armor, используются диски из карбида кремния[36].

Автомотодетали

Углерод-керамические (карбид кремния) дисковые тормоза Porsche Carrera GT

Инфильтрованый кремний в материале «композит углерод-углерод» используется для производства высококачественных «керамических» дисковых тормозов, так как способен выдерживать экстремальные температуры. Кремний вступает в реакцию с графитом в «композите углерод-углерод», становясь армированным углеродным волокном карбида кремния (C/SiC). Диски из этого материала используются на некоторых спортивных автомобилях, в том числе Porsche Carrera GT, Bugatti Veyron, Chevrolet Corvette ZR1, Bentley, Ferrari, Lamborghini[37]. Карбид кремния используется также в спеченных формах в дизельных фильтрах для очистки от твердых частиц[38].

Электроника и электротехника

Первыми электрическими устройствами из SiC были нелинейные элементы варисторы и вентильные разрядники (см. также: тирит, вилит, лэтин, силит) для защиты электроустановок от перенапряжений. Карбид кремния в разрядниках применяется в виде материала вилита — смеси SiC и связующего. Варисторы должны были обладать высоким сопротивлением до тех пор, пока напряжение на них не достигнет определенного порогового значения VT, после чего их сопротивление должно упасть до более низкого уровня и поддерживать этот уровень, пока приложенное напряжение падает ниже VT[39].

Электронные приборы
Светодиод

Карбид кремния используется в сверхбыстрых высоковольтных диодах Шоттки, n-МОП транзисторах и в высокотемпературных тиристорах[40]. По сравнению с приборами на основе кремния и арсенида галлия приборы из карбида кремния имеют следующие преимущества:

  • в несколько раз большая ширина запрещённой зоны;
  • в 10 раз большая электрическая прочность;
  • высокие допустимые рабочие температуры (до 600 °C);
  • теплопроводность в 3 раза больше, чем у кремния, и почти в 10 раз больше, чем у арсенида галлия;
  • устойчивость к воздействию радиации;
  • стабильность электрических характеристик при изменении температуры и отсутствие дрейфа параметров во времени.

Из почти двухсот пятидесяти модификаций карбида кремния только две применяются в полупроводниковых приборах — 4H-SiC и 6H-SiC.

Проблемы с интерфейсом элементов, основанных на диоксиде кремния, препятствуют развитию n-МОП транзисторов и IGBT, основанных на карбидокремнии. Другая проблема заключается в том, что сам SiC пробивается при высоких электрических полях в связи с образованием цепочек дефектов упаковки, но эта проблема может быть решена совсем скоро[41].

История светодиодов из SiC весьма примечательна: впервые свечение в SiC было обнаружено Х. Роундом в 1907 году. Первые коммерческие светодиоды были также на основе карбида кремния. Желтые светодиоды из 3C-SiC были изготовлены в СССР в 1970-х годах[42], а синие (из 6H-SiC), по всему миру — в 1980-х[43]. Производство вскоре остановилось, потому что нитрид галлия показал в 10—100 раз более яркую эмиссию. Эта разница в эффективности связана с неблагоприятной непрямой запрещенной зоной SiC, в то время как нитрид галлия имеет прямую запрещенную зону, которая способствует увеличению интенсивности свечения. Тем не менее, SiC по-прежнему является одним из важных компонентов светодиодов — это популярная подложка для выращивания устройств из нитрида галлия, также он служит теплораспределителем в мощных светодиодах[43].

Астрономия и точная оптика

Жесткость, высокая теплопроводность и низкий коэффициент теплового расширения делают карбид кремния термостабильным материалом в широком диапазоне рабочих температур. Это обуславливает широкое применение карбидкремниевых матриц для изготовления зеркальных элементов в различных оптических системах, например в астрономических телескопах или в системах передачи энергии с использованием лазерного излучения. Развитие технологий (химическое осаждение паров) позволяет создавать диски из поликристаллического карбида кремния до 3,5 метров в диаметре. Заготовки зеркал могут формироваться различными методами, включая прессование чистого мелкого порошка карбида кремния под высоким давлением. Несколько телескопов, например Gaia, уже оснащены оптикой из карбида кремния, покрытого серебром[44][45].

Пирометрия

Изображения теста пирометрии. Высота пламени 7 см

Волокна из карбида кремния используются для измерения температуры газов оптическим методом, называемым тонкой пирометрией накаливания. При измерении тонкие нити (диаметр 15 мкм) из карбида кремния вводят в зону измерения. Волокна практически не влияют на процесс горения, а их температура близка к температуре пламени. Таким методом может быть измерена температура в диапазоне 800—2500 K[46][47].

Нагревательные элементы

Первые упоминания об использовании карбида кремния для изготовления нагревательных элементов относятся к началу 20 века, когда они были изготовлены The Carborundum Company в США и EKL в Берлине[источник не указан 1777 дней].

В настоящее время карбид кремния является одним из типичных материалов для изготовления нагревательных элементов, способных работать при температурах до ~800°С на воздухе и до ~1400°С в нейтральной или восстановительной среде[источник не указан 1777 дней], что заметно выше, чем доступно для многих металлических нагревателей[источник не указан 1777 дней].

Нагревательные элементы из карбида кремния используются при плавлении цветных металлов и стекла, при термической обработке металлов, флоат-стекла, при производстве керамики, электронных компонентов и т. д.[48]

Ядерная энергетика

Благодаря высокой устойчивости к воздействию внешних неблагоприятных факторов, включая природные, высокой прочности и твердости, низкому коэффициенту термического расширения и низкому коэффициенту диффузии примесей и продуктов деления реакционноспечённый карбид кремния нашёл применение в ядерной энергетике[49].

Карбид кремния, наряду с другими материалами, используется в качестве слоя из триструктурально-изотропного покрытия для элементов ядерного топлива в высокотемпературных реакторах, в том числе в газоохлаждаемых реакторах.

Из карбида кремния изготавливаются пеналы для длительного хранения и захоронения ядерных отходов.

Ювелирные изделия

Кольцо с синтетическим муассанитом

Как ювелирный камень карбид кремния используется в ювелирном деле: называется «синтетический муассанит» или просто «муассанит». Муассанит похож на алмаз: он прозрачен и тверд (9—9,5 по шкале Мооса, по сравнению с 10 для алмаза), с показателем преломления 2,65—2,69 (по сравнению с 2,42 для алмаза).

Муассанит имеет несколько более сложную структуру, чем обычный кубический диоксид циркония. В отличие от алмаза, муассанит может иметь сильное двулучепреломление. Это качество является желательным в некоторых оптических конструкциях, но только не в драгоценных камнях. По этой причине муассанитовые драгоценности разрезают вдоль оптической оси кристалла, чтобы свести к минимуму эффект двупреломления. Муассанит имеет более низкую плотность 3,21 г/см³ (против 3,53 г/см³ для алмаза) и гораздо более устойчив к теплу. В результате получается камень с большим блеском минерала, с четкими гранями и хорошей устойчивостью к внешним воздействиям. В отличие от алмаза, который горит при температуре 800 °C, муассанит остается неповрежденным вплоть до температуры в 1800 °C (для сравнения: 1064 °C — температура плавления чистого золота). Муассанит стал популярен как заменитель алмаза, и может быть ошибочно принят за алмаз, так как его теплопроводность гораздо ближе к алмазу, чем у любого другого заменителя бриллианта. Драгоценный камень можно отличить от алмаза с помощью его двулучепреломления и очень небольшой зелёной или жёлтой флуоресценции в ультрафиолетовом свете[50].

Производство стали

Карбид кремния выступает в качестве топлива для изготовления стали в конвертерном производстве. Он чище, чем уголь, что позволяет сократить отходы производства. Также может быть использован для повышения температуры и регулирования содержания углерода. Использование карбида кремния стоит меньше и позволяет производить чистую сталь из-за низкого уровня содержания микроэлементов, по сравнению с ферросилицием и сочетанием с углеродом[51].

Катализатор

Естественная резистентность карбида кремния к окислению, а также открытие новых путей синтеза кубической формы β-SiC с большей площадью поверхности, приводит к большому интересу в использовании его в качестве гетерогенного катализатора. Эта форма уже использовалась в качестве катализатора при окислении углеводородов, таких как н-бутан, малеиновый ангидрид[52][53].

Производство графена

Карбид кремния используется для производства графена с помощью графитизации при высоких температурах. Это производство рассматривается как один из перспективных методов синтеза графена в больших масштабах для практических применений[54][55]. Высокая температура (1500—2000 °C) приводит к разложению карбида кремния. Кремний как более летучий элемент уходит из приповерхностных слоёв, оставляя монослойный или многослойный графен, нижние из которых сильно связаны с объёмным кристалом. В качестве исходного материала используют монокристаллы 6H-SiC(0001), на поверхности которых формировались террасы графена в результате термообработки с размерами около 1 микрона, разделённые областями с несколькими слоями[56].

Применение в строительстве

Может использоваться в качестве фибры в фибробетоне (аналогично базальтовому волокну)[57].

См. также

Примечания

  1. ↑ Patnaik, P. Handbook of Inorganic Chemicals. — McGraw-Hill, 2002. — ISBN 0070494398.
  2. 1 2 3 http://www.cdc.gov/niosh/npg/npgd0555.html
  3. 1 2 Properties of Silicon Carbide (SiC). Ioffe Institute. Архивировано 24 апреля 2012 года.
  4. ↑ Weimer, A. W. Carbide, nitride, and boride materials synthesis and processing. — Springer, 1997. — P. 115. — ISBN 0412540606.
  5. ↑ Acheson, G. (1893) U.S. Patent 492 767 «Production of artificial crystalline carbonaceous material»
  6. ↑ The Manufacture of Carborundum — a New Industry (4/7/1894). Архивировано 23 января 2009 года.
  7. ↑ Dunwoody, Henry H.C. (1906) U.S. Patent 837 616 «Wireless telegraph system» (silicon carbide detector)
  8. ↑ Hart, Jeffrey A.; Stefanie Ann Lenway, Thomas Murtha. A History of Electroluminescent Displays. Архивировано 24 апреля 2012 года.
  9. ↑ Moissan, Henri (1904). “Nouvelles recherches sur la météorité de Cañon Diablo”. Comptes rendus. 139: 773—786.
  10. ↑ Di Pierro S.; et al. (2003). “Rock-forming moissanite (natural α-silicon carbide)”. American Mineralogist. 88: 1817—1821.
  11. ↑ Alexander C. M. O'D. (1990). “In situ measurement of interstellar silicon carbide in two CM chondrite meteorites”. Nature. 348: 715—717. DOI:10.1038/348715a0.
  12. ↑ Jim Kelly. The Astrophysical Nature of Silicon Carbide.
  13. 1 2 3 Harris, Gary Lynn. Свойства карбида кремния = Properties of silicon carbide. — United Kingdom: IEE, 1995. — 282 с. — P. 19; 170–180. — ISBN 0852968701.
  14. ↑ Lely, Jan Anthony. Darstellung von Einkristallen von Silicium Carbid und Beherrschung von Art und Menge der eingebauten Verunreinigungen (нем.) // Журнал Berichte der Deutschen Keramischen Gesellschaft. — 1955. — H. 32. — S. 229—236.
  15. ↑ N.Ohtani, T.Fujimoto, T.Aigo, M.Katsuno, H.Tsuge, H.Yashiro. Large high-quality silicon carbide substrates (англ.) // Nippon Steel Technical Report no. 84. — 2001. Архивировано 4 марта 2012 года.
  16. ↑ Byrappa, K.; Ohachi, T. Crystal growth technology. — Springer, 2003. — С. 180-200. — ISBN 3540003673.
  17. ↑ Pitcher, M. W.; Joray, S. J.; Bianconi, P. A. Smooth Continuous Films of Stoichiometric Silicon Carbide from Poly(methylsilyne) // журнал Advanced Materials. — 2004. — С. 706. — DOI:10.1002/adma.200306467.
  18. ↑ Park, Yoon-Soo. SiC materials and devices. — Academic Press, 1998. — С. 20–60. — ISBN 0127521607.
  19. ↑ Bunsell, A. R.; Piant, A. A review of the development of three generations of small diameter silicon carbide fibres // Journal of Materials Science. — 2006. — С. 823. — DOI:10.1007/s10853-006-6566-z.
  20. ↑ Laine, Richard M. Preceramic polymer routes to silicon carbide. — Babonneau, Florence: Chemistry of Materials, 1993. — С. 260. — DOI:10.1021/cm00027a007.
  21. ↑ Cheung, Rebecca. Silicon carbide microelectromechanical systems for harsh environments. — Imperial College Press, 2006. — С. 3. — ISBN 1860946240.
  22. ↑ Morkoç, H.; Strite, S.; Gao, G. B.; Lin, M. E.; Sverdlov, B.; Burns, M. Large-band-gap SiC, III-V nitride, and II-VI ZnSe-based semiconductor device technologies. — Journal of Applied Physics, 1994. — С. 1363. — DOI:10.1063/1.358463.
  23. ↑ Muranaka, T. Superconductivity in carrier-doped silicon carbide : free download. — Sci. Technol. Adv. Mater., 2008. — DOI:10.1088/1468-6996/9/4/044204.
  24. ↑ стр. 119—128 в «Карбид кремния» под ред. Г.Хенита и Р.Рол, пер. с англ.; М. Мир: 1972 349с., с ил.
  25. ↑ Г. Г. Гнесин «Карбидокремниевые материалы» М. Металлургия: 1977, 216с, с ил.
  26. ↑ Properties of Silicon Carbide (SiC). Ioffe Institute. Проверено 6 июня 2009. Архивировано 24 апреля 2012 года.
  27. ↑ Yoon-Soo Park, Willardson, Eicke R Weber. SiC materials and devices. — Academic Press, 1998. — P. 1–18. — ISBN 0127521607.
  28. ↑ Bhatnagar, M.; Baliga, B.J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices. — IEEE Transactions on Electron Devices, Март 1993. — Вып. 3. — С. 645–655. — DOI:10.1109/16.199372.
  29. ↑ Kriener, M. Superconductivity in heavily boron-doped silicon carbide (англ.) // Sci. Technol. Adv. Mater. : журнал. — 2008. — Вып. 9. — С. 044205. — DOI:10.1088/1468-6996/9/4/044205.
  30. ↑ Важнейшие соединения кремния (недоступная ссылка). Проверено 24 мая 2010. Архивировано 13 октября 2007 года.
  31. 1 2 3 4 Кремния карбид. Проверено 24 мая 2010. Архивировано 24 апреля 2012 года.
  32. ↑ А. М. Голуб. Общая и неорганическая химия = Загальна та неорганична хімія. — Вища школа, 1971. — С. 227. — 443 с. — 6700 экз.
  33. ↑ Fuster, Marco A. (1997) «Skateboard grip tape», U.S. Patent 5 622 759
  34. ↑ Bansal, Narottam P. Handbook of ceramic composites. — Springer, 2005. — С. 312. — ISBN 1402081332.
  35. ↑ Ceramics for turbine engines. Архивировано 6 апреля 2009 года.
  36. ↑ Dragon Skin – Most Protective Body Armor – Lightweight. Future Firepower. Архивировано 24 апреля 2012 года.
  37. ↑ Top 10 Fast Cars (недоступная ссылка). Архивировано 26 августа 2009 года.
  38. ↑ O'Sullivan, D.; Pomeroy, M.J.; Hampshire, S.; Murtagh, M.J. Degradation resistance of silicon carbide diesel particulate filters to diesel fuel ash deposits // MRS proceedings. — 2004. — Вып. 19. — С. 2913–2921. — DOI:10.1557/JMR.2004.0373.
  39. ↑ Whitaker, Jerry C. The electronics handbook. — CRC Press, 2005. — С. 1108. — ISBN 0849318890.
  40. ↑ Bhatnagar, M.; Baliga, B.J. Comparison of 6H-SiC, 3C-SiC, and Si for power devices // IEEE Transactions on Electron Devices. — март, 1993. — Вып. 3. — С. 645–655. — DOI:10.1109/16.199372.
  41. ↑ Madar, Roland. Materials science: Silicon carbide in contention : Журнал Nature. — 2004-08-26. — Вып. 430. — С. 974–975. — DOI:10.1038/430974a.
  42. ↑ Yellow SiC LED. Архивировано 24 апреля 2012 года.
  43. 1 2 Stringfellow, Gerald B. High brightness light emitting diodes. — Academic Press, 1997. — С. 48, 57, 425. — ISBN 0127521569.
  44. ↑ The largest telescope mirror ever put into space, European Space Agency.
  45. ↑ Petrovsky, G. T. 2.7-meter-diameter silicon carbide primary mirror for the SOFIA telescope. — Журнал Proc. SPIE. — С. 263.
  46. ↑ Thin-Filament Pyrometry Developed for Measuring Temperatures in Flames (англ.), NASA.
  47. ↑ Maun, Jignesh D.; Sunderland, PB; Urban, DL. Thin-filament pyrometry with a digital still camera // Applied Optics. — 2007. — Вып. 4. — С. 483. — DOI:10.1364/AO.46.000483. — PMID 17230239.
  48. ↑ Yeshvant V. Deshmukh. Industrial heating: principles, techniques, materials, applications, and design. — CRC Press, 2005. — С. 383–393. — ISBN 0849334055.
  49. ↑ López-Honorato, E. TRISO coated fuel particles with enhanced SiC properties // Journal of Nuclear Materials : журнал. — 2009. — С. 219. — DOI:10.1016/j.jnucmat.2009.03.013.
  50. ↑ O'Donoghue, M. Gems. — Elsevier. — 2006. — С. 89. — ISBN 0-75-065856-8.
  51. ↑ Silicon carbide (steel industry) (англ.). Архивировано 24 апреля 2012 года.
  52. ↑ Rase, Howard F. Handbook of commercial catalysts: heterogeneous catalysts. — CRC Press, 2000. — С. 258. — ISBN 0849394171.
  53. ↑ Singh, S. K.; Parida, K. M.; Mohanty, B. C.; Rao, S. B. High surface area silicon carbide from rice husk: A support material for catalysts : Reaction Kinetics and Catalysis Letters. — 1995. — С. 29. — DOI:10.1007/BF02071177.
  54. ↑ de Heer, Walt A. Handbook of Nanophysics. — Epitaxial graphene: Taylor and Francis, 2010. — ISBN 1420075381. (недоступная ссылка)
  55. ↑ de Heer, Walt A. Epitaxial graphene // Solid State Communications. — 2007. — С. 92. — DOI:10.1016/j.ssc.2007.04.023. Архивировано 9 декабря 2008 года.
  56. ↑ Елецкий А. В., Искандарова И. М., Книжник А. А., Красиков Д. Н. Графен: методы получения и теплофизические свойства // УФН. — 2011. — Т. 181. — С. 227—258. — DOI:10.3367/UFNr.0181.201103a.0233.
  57. ↑ 212. К. А. Сарайкина, В. А. Шаманов Дисперсное армирование бетонов // Вестник ПГТУ. Урбанистика. 2011. № 2.

Ссылки

  • Короткая история изучения SiC (англ.)
  • Карбид кремния: технология, свойства, применение/Под ред. Беляева А. Е., Конаковой Р. В. — Харьков. «ИСМА». 2010. — 532 с. (8,9 Mb) ISBN 978-966-02-5445-9 (недоступная ссылка) (рус.)
  • Дигонский С.В. Газофазные процессы синтеза и спекания тугоплавких веществ. – Москва, ГЕОС, 2013 г, 462 с.

    Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".

    Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.

    Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .



    Текст в блоке "Читать" взят с сайта "Википедия" и доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия.

    Другой контент может иметь иную лицензию. Перед использованием материалов сайта WikiSort.ru внимательно изучите правила лицензирования конкретных элементов наполнения сайта.

    2019-2024
    WikiSort.ru - проект по пересортировке и дополнению контента Википедии