Александр Леонидович Асеев | |
---|---|
![]() | |
Дата рождения | 24 сентября 1946 (72 года) |
Место рождения | Улан-Удэ, РСФСР, СССР |
Страна | |
Научная сфера | физика полупроводников |
Место работы | Институт физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН |
Альма-матер | Новосибирский государственный университет |
Учёная степень | доктор физико-математических наук (1990) |
Учёное звание | академик РАН (2006) |
Известен как | председатель Сибирского отделения РАН |
Награды и премии |
Алекса́ндр Леони́дович Асе́ев (род. 24 сентября 1946 года, Улан-Удэ) — советский и российский физик. Академик РАН (2006, член-корреспондент с 2000), в 2008—2017 гг. её вице-президент и председатель Сибирского отделения (СО) РАН. В 1998—2013 гг. директор Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.
Окончил физический факультет Новосибирского государственного университета (1968).
В 1975 году защитил кандидатскую диссертацию «Формирование дислокационной структуры монокристаллических слоёв кремния и германия на различных подложках»[1], в 1990 году — докторскую диссертацию «Структурные перестройки в кристаллах кремния и германия при большой скорости генерации точечных дефектов»[2].
С 1998 года по 25 апреля 2013 года являлся директором Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН. По совместительству с 1 сентября 2002 г. — профессор кафедры физики полупроводников физического факультета Томского государственного университета.[3] Учениками Асеева защищено 4 кандидатских и 2 докторских диссертации. Асеев — автор и соавтор 200 научных работ, в том числе 5 монографий и 9 патентов.
Александр Асеев входит в состав учёного совета НГУ[4].
Член секции нанотехнологий Отделения нанотехнологий и информационных технологий РАН[когда?].
Доктор физико-математических наук, профессор. Основные научные интересы относятся к изучению атомной структуры и электронных свойств полупроводниковых систем пониженной размерности, развитию технологий полупроводниковой микро-, опто- и наноэлектроники.
Активный противник реформы Российской академии наук по предлагаемому Правительством РФ проекту с самого её начала в 2013 году[5]. В середине сентября 2017 года в своём обращении оценил реформы как «непродуманные и катастрофические», возложил на «реформаторов» вину за срыв выборов президента РАН в марте и предупредил о возможности срыва ими и сентябрьских выборов[6]. В том же обращении одобрил решение Президиума СО РАН о поддержке на выборах кандидатур Е. Н. Каблова и Г. Я. Красникова, так как «они в значительной степени независимы от основного инструмента в проведении разрушительных для РАН "реформ" — ФАНО».
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .