| Геннадий Яковлевич Красников | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | |||||||||
| Дата рождения | 30 апреля 1958 (60 лет) | ||||||||
| Место рождения | Тамбов | ||||||||
| Страна |
  |
||||||||
| Место работы | НИИМЭ, МФТИ | ||||||||
| Альма-матер | МИЭТ | ||||||||
| Учёная степень | доктор технических наук | ||||||||
| Учёное звание | академик РАН | ||||||||
| Награды и премии |
|
||||||||
 | |||||||||
Генна́дий Я́ковлевич Кра́сников (род. 30 апреля 1958, Тамбов) — советский и российский учёный в области физики полупроводниковых приборов, академик РАН (2008), доктор технических наук, профессор, генеральный директор АО «НИИМЭ», председатель Совета директоров ПАО «Микрон».
Биография
Выпускник физико-технического факультета Московского института электронной техники 1981 года.
C 1981 года последовательно занимал должности от инженера "НИИ молекулярной электроники и завод «Микрон» до генерального директора ОАО «НИИМЭ и Микрон» (с 1991 по 2016 год), генеральный директор АО «НИИ молекулярной электроники» (ранее исследовательский центр ОАО «НИИМЭ и Микрон», выделенный с 2011 года в отдельное дочернее предприятие).
В 1999—2003 годах — генеральный директор концерна «Научный центр» (с 2005 года ОАО «Ситроникс»).
Член-корреспондент РАН (1997), академик РАН (2008) по Отделению нанотехнологий и информационных технологий.
В сентябре 2017 года участвовал в выборах президента РАН, прошёл необходимую по новым правилам процедуру согласования в правительстве РФ[1]. Его кандидатуру поддержал, в частности, Ж. И. Алфёров[2]. В первом туре выборов, к которым всего было допущено пять академиков, занял третье место с 269 голосами из 1596 (отстал от занявшего второе место Р. И. Нигматулина на 7 голосов)[3].
Избран в Президиум РАН по квоте президента РАН 1002 голосами (при необходимых 569).[4]
Научная деятельность
Г. Я. Красников — учёный в области физики полупроводников, полупроводниковых приборов, технологии создания сверхбольших интегральных схем (СБИС) и проблем обеспечения качества их промышленного производства. Автор и соавтор более 400 научных работ в российских и зарубежных рецензируемых изданиях, 4 научных монографий и более 40 авторских свидетельств и патентов.
Основными направлениями исследований являются микро- и наноэлектроника. Им созданы научные и технологические основы формирования полупроводниковых структур с управляемыми и стабильными электрофизическими параметрами, а также выявлены закономерности неравновесных процессов в переходных областях границ раздела систем кремний — диоксид кремния — металл на всем технологическом маршруте изготовления интегральных микросхем.
Организационная работа
Г. Я. Красников — руководитель межведомственного Совета главных конструкторов по электронной компонентной базе РФ, руководитель приоритетного технологического направления по электронным технологиям РФ[5], состоял членом Совета при Президенте Российской Федерации по науке и образованию, член Консультативного научного Совета Инновационного центра «Сколково»[6], председатель научного Совета РАН «Фундаментальные проблемы элементной базы информационно-вычислительных и управляющих систем и материалов для её создания», сопредседатель экспертного Совета по инновационной деятельности и внедрению наукоемких технологий Государственной Думы Российской Федерации, член двух экспертных советов по присуждению премии Правительства РФ в области науки и техники, входит в состав Совета руководителей EMEA Leadership Council — Глобального альянса производителей полупроводников (GSA).
Главный редактор журнала Электронная техника. Серия «Микроэлектроника» и «Микроэлектроника» (с 2017), член редколлегии журналов «Электроника. Наука. Технология. Бизнес» и «Нано- и микросистемная техника».
Педагогическая работа
Красников возглавляет базовую кафедру микро- и наноэлектроники в Московском физико-техническом институте и базовую кафедру «Субмикронная технология СБИС» в Национальном исследовательском университете «МИЭТ», руководит подготовкой специалистов высшей квалификации по актуальным и перспективным направлениям нано- и микроэлектроники.
Почётный доктор Санкт-Петербургского национального исследовательского Академического университета РАН.
Награды
- Орден «За заслуги перед Отечеством» IV степени (2008)
- Орден Александра Невского (2018)
- Орден Почёта (1999)
- Орден Дружбы (2014)
- Государственная премия Российской Федерации (2014)
- две премии Правительства Российской Федерации в области науки и техники (1999, 2009)
- Медаль «В память 850-летия Москвы» (1997)
- Медаль ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий»[7] (2016)
Примечания
- ↑ Кабмин согласовал пять кандидатур на пост президента РАН. ТАСС (31 августа 2017). Проверено 31 августа 2017.
- ↑ Общее собрание членов Российской академии наук 25.09.2017 Прямая трансляция. Портал «Научная Россия» (25 сентября 2017). Проверено 25 сентября 2017.
- ↑ Академики Нигматулин и Сергеев вышли во второй тур голосования на выборах президента РАН. ТАСС (26 сентября 2017). Проверено 26 сентября 2017.
- ↑ Определен новый состав Президиума РАН. trv-science.ru. Проверено 24 ноября 2017.
- ↑ Академик Красников рассказал о судьбе российской микроэлектроники. Российская газета (19 марта 2017). Проверено 24 апреля 2017.
- ↑ Сколково. Люди в проекте
- ↑ Центр новостей ООН. Центр новостей ООН - Четверо ученых из России получили медаль ЮНЕСКО «За вклад в развитие нанонауки и нанотехнологий». UN News Service Section. Проверено 8 февраля 2016.
Ссылки
- Профиль Геннадия Яковлевича Красникова на официальном сайте РАН
- Информация на сайте ОАО «НИИМЭ и Микрон»
- Биография
- Историческая справка на сайте Архива РАН
Тематические сайты | |
|---|---|
| Словари и энциклопедии |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .