| Игорь Всеволодович Грехов | |||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 | |||||||||
| Дата рождения | 10 сентября 1934 (84 года) | ||||||||
| Место рождения | |||||||||
| Страна | |||||||||
| Научная сфера | полупроводниковая электроника | ||||||||
| Место работы | ФТИ им. А. Ф. Иоффе | ||||||||
| Учёная степень | доктор физико-математических наук (1974) | ||||||||
| Учёное звание | академик РАН (2008) | ||||||||
| Награды и премии |
|
||||||||
И́горь Все́володович Гре́хов (род. 10 сентября 1934, Смоленск) — советский и российский учёный-физик, специалист в области мощной полупроводниковой электроники и импульсной техники. Заведующий лабораторией Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе РАН в Санкт-Петербурге.
Один из создателей новой отрасли промышленности в СССР — силового полупроводникового приборостроения. Лауреат Ленинской (1966) и двух Государственных (СССР—1987, РФ—2002) премий. Академик Российской академии наук (РАН) с 2008 года.
Биография
И. В. Грехов родился в 1934 году в семье школьных учителей. Среднюю школу окончил в Симферополе с золотой медалью[1].
В 1958 году окончил МВТУ им. Баумана в Москве и был распределён на завод «Электровыпрямитель» в Саранск (Мордовская АССР). Там в 1958—1962 годах работал инженером и начальником лаборатории.
В 1962 году переехал в Ленинград. Вся дальнейшая научная биография И. В. Грехова связана с Физико-техническим институтом (ФТИ АН СССР, с 1992 г. ФТИ РАН), где он последовательно занимал должности младшего и старшего научного сотрудника, заведующего сектором, лабораторией, отделом, отделением[2]. В настоящее время возглавляет лабораторию мощных полупроводниковых приборов ФТИ.
Кандидатскую диссертацию защитил в 1967 году под руководством академика В. М. Тучкевича, докторскую — в 1975, обе в ФТИ. В 1991 году избран членом-корреспондентом АН СССР, а в 2008 году стал академиком РАН по Отделению энергетики, машиностроения, механики и процессов управления (ОЭММПУ), секция энергетики[3].
Научные интересы и достижения
Основные области профессиональных интересов И. В. Грехова — физика полупроводниковых приборов, силовая полупроводниковая электроника, импульсная техника[2][4].
В 1960—1975 гг. он был одним из ведущих членов руководимого В. М. Тучкевичем коллектива, создавшего в СССР новую отрасль индустрии — силовое полупроводниковое приборостроение, что позволило радикально снизить энергозатраты во всех энергоёмких сферах.
Последующие выполненные им исследования физических процессов в электронно-дырочной плазме в полупроводниках дали возможность на порядки поднять предельную импульсную мощность приборов. Новые приборы, способные функционировать в диапазоне длительностей от сотен микросекунд до десятков пикосекунд, нашли применение в системах питания мощных лазеров и ускорителей, генераторов направленных импульсов электромагнитного излучения и многих импульсных промышленных технологиях.
Важнейшие мощные импульсные приборы, разработанные под руководством И. В. Грехова:
- Реверсивно-включаемые динисторы (РВД);
- Дрейфовые диоды с резким восстановлением (ДДРВ);
- Субнаносекундные обострители мощных импульсов;
- Интегральные тиристоры с полевым управлением.
Большинство приборов изготавливается на базе кремния, однако ведутся также исследования и разработки приборов на основе карбида кремния и других полупроводниковых материалов[2].
Учреждённое с участием И. В. Грехова инновационное предприятие «Мегаимпульс» производит генераторы с использованием созданных приборов для российских и зарубежных потребителей.
Среди других работ, проводившихся в разное время в лаборатории, возглавляемой И. В. Греховым, — изучение высокотемпературной сверхпроводимости, сегнетоэлектрической (PZT) памяти, структур металл-диэлектрик-полупроводник с туннельно-тонким диэлектриком, оптоэлектронных систем с пористым кремнием.
Публикации
И. В. Грехов — соавтор четырёх книг, свыше 600 научных статей и 200 изобретений. Имеет более 2400 цитирований своих научных работ, индекс Хирша — 19[5].
Публиковался в журналах Solid-State Electronics, IEEE Transactions on Electron Devices и on Plasma Science, Journal of Applied Physics, УФН и других. В 1975 году на крупном научном форуме IEDM в Вашингтоне[1] представил обзор достижений силовой электроники в СССР того времени. Впоследствии многократно выступал с приглашёнными докладами по сильноточным твердотельным приборам.
Некоторые книги и статьи:
- Грехов И.В., Сережкин Ю.Н. // Лавинный пробой pn-перехода в полупроводниках // Л.:Энергия (1980).
- Грехов И.В., Линийчук И.А. // Тиристоры, выключаемые током управления // Л.:Энергоиздат (1982).
- Тучкевич В.М., Грехов И.В. // Новые принципы коммутации больших мощностей полупроводниковыми приборами // Л.:Наука (1988).
- Грехов И.В., Месяц Г.А. // Полупроводниковые наносекундные диоды для размыкания больших токов // УФН, т. 175, с. 735–744 (2005) — см. статью.
- Grekhov I.V. // Pulse power generation in nano- and subnano- second range by means of ionizing fronts in semiconductors: the state of the art and future prospects // IEEE Transactions on Plasma Science, 38:5, pp. 1118–1123 (2010) — см. статью.
Признание и награды
Научная деятельность И. В. Грехова была отмечена премиями и наградами СССР и России[3][4]:
- Ленинская премия (1966)
- Государственная премия СССР (1987, руководитель работы)
- Государственная премия РФ (2002)
- Премия Правительства РФ (2006, руководитель работы)
- Премия Правительства Санкт-Петербурга (2010)
- Заслуженный изобретатель РСФСР (1975 г.)[6]
- Орден Дружбы народов (1981)
- Орден Почёта (1999)
- Орден Дружбы (2010)
В 2017 году вошёл в шорт-лист (топ-10) премии Глобальная энергия[7].
Преподавание, оргработа
В 1980—1990-е годы читал курс лекций «Основы физики полупроводниковых приборов» студентам Ленинградского политехнического института. Подготовил более 30 кандидатов наук, 10 его учеников впоследствии стали докторами наук. Профессор.
Входит в состав редколлегии журнала “Письма в ЖТФ”. Эксперт РАН, член научного совета РАН по комплексной проблеме “Электрофизика, электроэнергетика и электротехника”, был участником научно-координационного совета Федеральной целевой программы по развитию НПК России на 2008—2013 гг.[3].
Семья
Женат (супруга работала в Русском музее[1]), имеет сына.
Альпинизм
В течение почти сорока лет (1962—2000) серьёзно занимался альпинизмом. Кандидат в мастера спорта (1976). Совершил свыше 150 восхождений, в том числе пятой категории сложности (см. о категориях) — 23, первовосхождений — 3, на «семитысячники» — 2. Работал инструктором и участвовал в спасательных работах в горах[8].
Примечания
- 1 2 3 Computer History Museum, oral history — Oral History of Igor V. Grekhov (total 44 pages, interviewed by: R. Remacle, May 15, 2012) — s. pages: 2 and 5, 21, 43.
- 1 2 3 Грехов Игорь Всеволодович — см. раздел «биографическая справка». Информационная система «Архивы РАН». Проверено 5 ноября 2017.
- 1 2 3 Грехов Игорь Всеволодович (историческая справка, направления деятельности, публикации, награды). Сайт ОЭММПУ РАН. Проверено 5 ноября 2017.
- 1 2 А. И. Мелуа. Инженеры Санкт-Петербурга. Энциклопедия (2-е изд.). — СПб—M : Изд-во Международного фонда истории науки, 1997. — P. 249: Грехов Игорь Всеволодович.
- ↑ Список российских учёных, имеющих индекс цитирования > 1000
- ↑ Журнал «Изобретатель и рационализатор» за 1976 год, № 1, стр. 33 (официально см. Указ Президиума Верховного Совета РСФСР № 780 от 21.08.1975 года).
- ↑ Глобальная энергия будет присуждена в пятнадцатый раз / / Независимая газета
- ↑ Статья об И. В. Грехове на сайте Клуба альпинистов «Санкт-Петербург» (2002).
Ссылки
- Профиль Грехова Игоря Всеволодовича на официальном сайте РАН
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .