Владимир Максимович Тучкевич | |
---|---|
![]() | |
Дата рождения | 29 декабря 1904 (11 января 1905) |
Место рождения |
село Яновцы, Хотинский уезд, Бессарабская губерния, Российская империя |
Дата смерти | 24 июля 1997 (92 года) |
Место смерти | |
Страна | |
Научная сфера | физик] |
Место работы | |
Альма-матер | КГУ имени Т. Г. Шевченко |
Учёная степень | доктор физико-математических наук (1956) |
Учёное звание |
академик АН СССР (1970), академик РАН (1991) |
Известен как | директор Физико-технического института имени А. Ф. Иоффе |
Награды и премии |
Влади́мир Макси́мович Тучке́вич (1904—1997) — советский физик. Академик АН СССР и РАН. Герой Социалистического Труда. Лауреат Ленинской премии и Сталинской премии первой степени.
Родился 16 (29 декабря) 1904 года в селе Яновцы (Яноуцы) (ныне — село Ивановцы, Кельменецкий район, Черновицкая область, Украина). Учился в реальном училище, затем в школе в городе Уфе.
В ноябре 1919 года, не окончив школу, вступил добровольцем в ряды РККА. Был начальником военно-санитарного поезда, учился в Военно-пехотной школе и одновременно на подготовительных курсах для поступления в вуз. В 1924 году был демобилизован.
В том же году поступил на физико-математический факультет КГУ имени Т. Г. Шевченко. Будучи студентом, с 1927 года работал в Рентгеновском институте. После окончания университета в 1928 году учился в аспирантуре. Одновременно работал в Метеорологическом институте, организовал и возглавил физическую лабораторию в Харьковском рентгенологическом институте. В 1931— 1935 годах работал преподавателем в Харьковском электротехническом институте.
С 1935 года жил в Ленинграде, где работал в Ленинградском физико-техническом институте АН СССР (ЛФТИ). Был научным сотрудником, старшим научным сотрудником, учёным секретарём и заведующим лабораторией. В этом же году продолжил преподавательскую деятельность в ЛПИ им. М. И. Калинина, сначала был доцентом кафедры физики, затем профессором кафедры экспериментальной физики. В 1939 году защитил кандидатскую диссертацию. Основные научные интересы Тучкевича были связаны с физикой полупроводников и созданием полупроводниковых приборов.
В годы войны работал в группе А. П. Александрова по защите кораблей от магнитных мин на Балтийском и Северном морях. Сотрудничал с И. В. Курчатовым, Б. Е. Годзевичем и с другими знаменитыми учёными.
В первые годы после окончания войны руководил исследованиями, связанными с разделением изотопов тяжелых элементов. С 1949 года в ЛФТИ возглавлял сектор, где занимался разработкой методов получения чистых монокристаллов германия и кремния, приведших к разработке в 1952 году первых германиевых плоскостных диодов и транзисторов.
В 1951 году Тучкевич выдвинул идею создания полупроводниковых приборов на большие токи и напряжения, руководил разработкой мощных германиевых и кремниевых диодов. В лаборатории Тучкевича младшим научным сотрудником работал будущий лауреат Нобелевской премии по физике — Жорес Алфёров. В 1952 году вступил в КПСС. В 1956 году защитил докторскую диссертацию.
В 1968 году избран членом-корреспондентом, а в 1970 году Тучкевич стал действительным членом АН СССР. В 1967 — 1986 годах был директором ФТИ им. А. Ф. Иоффе АН СССР.
Был одним из академиков АН СССР, подписавших в 1973 году письмо учёных в газету "Правда" с осуждением "поведения академика А. Д. Сахарова". В письме Сахаров обвинялся в том, что он "выступил с рядом заявлений, порочащих государственный строй, внешнюю и внутреннюю политику Советского Союза", а его правозащитную деятельность академики оценивали как "порочащую честь и достоинство советского ученого" [1][2].
Руководил комплексной программой по широкому использованию силовой полупроводниковой преобразовательной техники в народном хозяйстве страны. Участвовал в разработках, связанных с возможностью контроля и управления конверторами с кислородным дутьем, используемых в производстве черных и цветных металлов. В 1983 году сформировал в ЛПИ имени М. И. Калинина кафедру «Физика полупроводниковых приборов» и возглавил её на общественных началах.
С 1987 года — заведующий группой Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе, стал советником Президиума РАН, советник при дирекции института, заведующий кафедрой Санкт-Петербургского государственного технического университета.
Научные работы Тучкевича относятся в основном к физике и технике полупроводников. Его исследования привели к разработке принципов получения германиевых плоскостных диодов и триодов, фотоэлементов и фотодиодов. В лаборатории Тучкевича в Физико-техническом институте были разработаны первые в нашей стране германиевые и кремниевые диоды и триоды. Совместно с Б. М. Вулом и С. Г. Калашниковым заложил основы советской полупроводниковой промышленности, создал новое направление — силовую полупроводниковую технику, разработав силовые полупроводниковые. Автор более 150 научных работ и 18 авторских изобретений.
Неоднократно избирался членом Ленинградского обкома КПСС (1970—1976 годы), членом Ленинградского горкома КПСС (1968—1970 и 1976—1980 годы).
Жил в городе Санкт-Петербурге. Умер 24 июля 1997 года.
Некоторые работы, среди них и совместные:[3]
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .