Фотолитография в глубоком ультрафиолете (Extreme ultraviolet lithography, EUV, EUVL[1] — экстремальная ультрафиолетовая литография[2]) — вид фотолитографии в наноэлектронике. Считается одним из вариантов фотолитография следующего поколения. Использует свет экстремального ультрафиолетового диапазона с длиной волны около 13,5 нм.
Источники света
В качестве мощных источников света в ЭУФ диапазоне могут использоваться синхротроны или плазма, разогреваемая импульсом лазера или электрическим разрядом.
Оптика для EUVL
В отличие от используемой ныне литографии на дальнем ультрафиолете (на эксимерных лазерах и с проведением процесса в жидкости), EUV требует использования вакуума[3]. В качестве оптики используются не линзы, а многослойные зеркала[3], с отражением на основе межслойной интерференции. Маска (фотошаблон) также выполняется в виде отражающего элемента, а не просвечивающего, как в настоящее время. При каждом отражении зеркалом и маской поглощается значительная часть энергии луча, около 1/3. При использовании 7 зеркал будет поглощено около 94 % мощности луча, а значит EUL требует мощных источников.
Экспонирование фоторезиста
Ограничения метода
Экспериментальные установки
Первые экспериментальные установки совмещения и экспонирования (степперы) для EUVL были созданы в 2000 году в Ливерморской национальной лаборатории.
EUV оборудование от ASML
В таблицу сведены степперы для EUV от ASML.
| Год | Название EUV Tool | Наилучшее разрешение | Пропускная способность | Доза, Мощность источника |
|---|---|---|---|---|
| 2006 | ADT | 32 нм | 4 WPH (пластин в час) | 5 мДж/см², ~8ВТ |
| 2010 | NXE:3100 | 27 нм | 60 WPH | 10 мДж/см², >100Вт |
| 2012 | NXE:3300B | 22 нм | 125 WPH | 15 мДж/см², >250Вт |
| 2013 | NXE:3300C | зависит от диффузионных свойств фоторезиста | 150 WPH | 15 мДж/см², >350Вт |
Источник: ASML, International Workshop on EUVL, Maui 2010
Примечания
- ↑ Субмикронная УФ-литография появится нескоро
- ↑ Экстремальная ультрафиолетовая литография — будущее наноэлектроники / 07.04.2008, Журнал «Нано- и микросистемная техника». Автор С. В. Гапонов, чл.-корр. РАН, ИФМ РАН
- 1 2 Литография на длине волны 13 нм. член-корр. РАН С. В. Гапонов, Вестник РАН, т. 73, № 5, с. 392 (2003). «…более коротковолновое излучение сильно поглощается всеми веществами. Можно думать только об использовании зеркальной оптики, размещенной в вакууме.»
Литература
- Banqiu Wu and Ajay Kumar. Extreme Ultraviolet Lithography. — McGraw-Hill Professional, Inc, 2009. — ISBN 0071549188.
- EUV lithography / Vivek Bakshi. — SPIE, JW&S, 2009. — ISBN 9780470471555, ISBN 9780819469649.
- EUV-нанолитография. Проблемы и перспективы развития — Фотоника Выпуск № 1/2010
- Сложить нанопасьянс — Эксперт
Ссылки
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .