Фокусируемый ионный луч (ФИЛ, Фокусируемый ионный пучок; англ. Focused ion beam (FIB)) — широко используемая методика в материаловедении для локального анализа, напыления и травления материалов. Установка для ионного травления напоминает растровый электронный микроскоп. В электронном микроскопе используется пучок электронов, тогда как в ФИП применяют более тяжелые частицы — ионы (с большей кинетической энергией). Бывают установки, использующие оба вида пучков. Не следует путать ФИП с устройством для литографии, где также используется ионный пучок, но слабой интенсивности, а в травлении основным является свойства самого резиста.
Самыми распространенными источниками ионов являются так называемые жидко-металлические, в которых используется галлий. Температура плавления галлия равна ~ 30 °C.
Кроме галлия в источниках используются также золото и иридий. В галлиевом источнике нагретый металл соприкасается с вольфрамовой иглой. Галлий смачивает вольфрам, а большое электрическое поле (более 108 В/см) вызывает ионизацию и эмиссию ионов галлия. Затем ионы ускоряются до энергии в 5-50 кэВ и фокусируются на образец с помощью электростатической линзы. В современных установках ток достигает десятки наноампер, который фокусируется в пятно в несколько нанометров.
Первые ФИПы были созданы в начале 90-х годов. Принцип работы у ФИПа похож на работу электронного микроскопа с небольшой, но существенной разницей — в ФИПах используются ионный пучок вместо электронного.
Ионы галлия после ускорения электрическим полем сталкиваются с образцом. Кинетической энергии ионов достаточно, чтобы «выбивать» (англ. sputtering process) атомы материала из образца. При малых токах удаляется небольшое количество материала. В современных ФИПах достигается разрешение около 5 нм[1][2]). При больших токах ионный пучок легко режет образец с субмикронной точностью.
Если образец изготовлен из непроводящего ток материала, то на его поверхности накапливаются ионы, которые отталкивают пучок ионов. Чтобы избежать этого, накопленный заряд нейтрализуется потоком электронов. ФИПы последних разработок имеют собственную систему изображений, поэтому нет необходимости использовать электронный микроскоп для контроля процесса обработки[3].
В отличие от электронного микроскопа, ФИП «разрушает» образец. При ударе ионов галлия о поверхность образца, они «вырывают» атомы, из которых состоит образец. В ходе обработки поверхности атомы галлия также имплантируются в глубину образца на несколько нанометров. Поверхность образца после этого приходит к аморфному состоянию.
ФИП может обрабатывать поверхность образца очень тонко — возможно удалить слой с поверхности на глубину равную атомному размеру, при этом совершенно не затрагивая следующий слой. Шероховатость поверхности образца после обработки ионным пучком составляет менее микрона[4][5]
Основным фундаментальным отличием ФИП от методов сфокусированного электронного пучка (таких как РЭМ, ПРЭМ и EBID[en]) — это использование ионов вместо электронов, что существенно меняет процессы на поверхности исследуемого образца. Наиболее важными характеристиками по последствиям взаимодействия с образцом являются:
Ионы больше электронов
Ионы тяжелее электронов
Ионы имеют положительный заряд, а электроны — отрицательный
Таким образом, ионы имеют положительный заряд, тяжелы и медленны, в то время как электроны отрицательно заряжены, имеют малый размер и массу, и при этом обладают большей скоростью. Наиболее важным следствием указанных выше свойств является то, что ионный пучок будет удалять атомы с поверхности образца. При этом положение пучка, время пребывания и размер возможно хорошо контролировать. Поэтому его можно применять для контролируемого травления, вплоть до нанометрового масштаба.[6]
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .