WikiSort.ru - Не сортированное

Механическое расщепление — метод получения тонких плёнок кристаллов. Применяется к кристаллам со слоистой структурой, где слабые межплоскостные связи позволяют разделить объёмный кристалл на серию плёнок вплоть до толщины постоянной решётки (для сложных соединений типа MoS₂) или атомарной в случае с графитом.

Примеры соединений

Метод отшелушивания является довольно простым и гибким, поскольку позволяет работать со всеми слоистыми кристаллами, то есть теми материалами, которые представляются как слабо (по сравнению с силами в плоскости) связанные слои двумерных кристаллов. Этот метод можно использовать для получения двумерных кристаллов: α-BN, MoS₂, NbSe₂, Bi₂Sr₂CaCu₂O_x и т. д^[1].

Графен

Графен

${\displaystyle {\hat {H}}_{K}=-i\hbar v_{F}{\vec {\sigma }}\cdot {\vec {\nabla }}}$ Уравнение Дирака для графена

Физика графена Математическая формулировка …

Основа Квантовая механика · Уравнение Дирака · Двумерный кристалл Нейтрино · (2+1)-мерная КЭД · Постоянная тонкой структуры · Фаза Берри · Углеродные нанотрубки

Фундаментальные понятия История ·Зонная структура · Уравнение Дирака · Хиральность · Гексагональная решётка · Волновая функция · Точка электронейтральности · e-h лужи · Видимость графена · Фаза Берри · Двухслойный графен

Получение и технология Получение графена · Механическое расщепление · Химические методы получения · Эпитаксия на металлы · Подвешенный графен · Верхний затвор · Перенос графена

Применения Применение графена Графеновый полевой транзистор Графеновые наноленты

Транспортные свойства Электроны и дырки · Проводимость · Фононы· Парадокс Клейна · Линза Веселаго · 1/f · Дробовой шум Случайный телеграфный сигнал · p — n переход · Ферми-жидкость

Магнитное поле Магнетосопротивление · Осцилляции Шубникова — де Гааза · КЭХ · Спиновый квантовый эффект Холла · ДКЭХ · Осцилляции Вейса · Магнетоэкситоны · Сверхпроводимость · Слабая локализация · Эффект Ааронова — Бома

Оптика графена Рамановское рассеяние света · α

Известные учёные Андре Гейм · Константин Новосёлов · Филипп Ким · Михаил Кацнельсон

См. также: Портал:Физика

Механическое расщепление, благодаря своей простоте, позволило сотням лабораторий по всему миру начать широкомасштабные исследования свойств графена^[2]. Механичесое расщепление с помощью липкой ленты использовалось в самой первой работе 2004 года^[3]. Этот метод заключается в последовательном расслоении кристалла графита с использованием клейкой ленты на всё более тонкие чешуйки и осаждение получившихся плёнок на подходящую подложку^[4]. Источником графита служит однородные и обладающие высокой кристалличностью натуральный графит, киш-графит или высокоориентированный пиролитический графит^[5]. Для подложки в самых первых работах использовался окисленный кремний с толщиной диоксида кремния 300 нм. Несмотря на существенные недостатки этого метода: малый выход, низкая производительность и сложность в отыскании кристаллов графена около 10 μм на подложке размером 1 см, этот метод остаётся единственным для получения образцов с рекордной подвижностью носителей тока, пригодных для транспортных измерений^[2].

Примечания

Список литературы

• Елецкий А. В., Искандарова И. М., Книжник А. А., Красиков Д. Н. Графен: методы получения и теплофизические свойства // УФН. — 2011. — Т. 181. — С. 227—258. — DOI:10.3367/UFNr.0181.201103a.0233.
• Новосёлов К. С. Графен: материалы Флатландии // УФН. — 2011. — Т. 181. — С. 1299—1311. — DOI:10.3367/UFNr.0181.201112f.1299.
• Novoselov K. S., Geim A. K., Morozov S. V., Jiang D., Zhang Y., Dubonos S. V., Grigorieva I. V., Firsov A. A. Эффект поля в атомарно тонких углеродных плёнках (англ.) = Electric Field Effect in Atomically Thin Carbon Films // Science. — 2004. — Vol. 306. — P. 666—669. — DOI:10.1126/science.1102896. — arXiv:cond-mat/0410550.
• Andrei E. Y., Li G., Du X. Электронные свойства графена: взгляд со стороны сканирующей туннельной микроскопии и магнетотранспорта (англ.) = Electronic properties of graphene: a perspective from scanning tunneling microscopy and magnetotransport // Rep. Prog. Phys.. — 2012. — Vol. 75. — P. 056501. — DOI:10.1088/0034-4885/75/5/056501. — arXiv:1204.4532.