WikiSort.ru - Не сортированное

Андрей Георгиевич Забродский
Дата рождения	26 июня 1946(1946-06-26) (72 года)
Место рождения	Херсон, СССР
Страна	СССР  Россия
Научная сфера	физика
Место работы	ФТИ им. Иоффе
Альма-матер	ЛПИ
Учёная степень	доктор физико-математических наук
Учёное звание	профессор, академик РАН
Награды и премии

Андре́й Гео́ргиевич Забро́дский (род. 26 июня 1946, Херсон, СССР) — советский и российский физик. Доктор физико-математических наук, профессор. Академик РАН (2016). Один из ведущих учёных ФТИ им. Иоффе в Санкт-Петербурге, директор Института в 2003—2017 гг.

Биография

Родился в 1946 году в Херсоне. В 1970 году с отличием окончил факультет радиоэлектроники ЛПИ по специальности «радиофизика и электроника» (специализация «квантовая электроника»). Дипломную работу, посвящённую исследованию пространственного излучения гетеролазеров, написал в руководимом Ж. И. Алфёровым секторе Физико-технического института им. А. Ф. Иоффе (ФТИ). После учёбы был призван на службу в ряды Советской армии в должности инженер-лейтенанта (1970—1972).

С 1972 года — в ФТИ им. Иоффе. После обучения в аспирантуре работал инженером (1975—1978), м.н.с. (1978—1983), с.н.с. (1983—1989). В 1975 году защитил диссертацию на соискание учёной степени кандидата, в 1987 году — доктора физико-математических наук. С 1989 года заведует лабораторией «Неравновесные процессы в полупроводниках». С 2003 года до конца 2017 года занимал пост директора ФТИ.

В 2008 году был избран членом-корреспондентом, а в 2016 году — академиком Российской академии наук (РАН); в 2017 году вошёл в состав Президиума РАН^[1].

Научная деятельность

С 1970-х годов работал в области физики неупорядоченных систем: занимался изучением их низкотемпературных свойств — проблемой эффекта переключения, затем — прыжковой проводимости и перехода металл-изолятор. В его работах была установлена, в частности, природа электронного эффекта переключения в компенсированных полупроводниках, доказано существование кулоновской щели в изоляторном состоянии вещества и то, что переход изолятор-металл в компенсированных полупроводниках носит характер фазового перехода II рода и сопровождается схлопыванием кулоновской щели.

В 1980-х годах участвовал (совместно с ГОИ) в разработке первых отечественных глубокоохлаждаемых болометров, развил направление диагностики сверхпроводящих материалов на основе исследования эффектов магнитозависимого субмиллиметрового поглощения.

В 1980—1990-е годы предложил и развил метод спектроскопии электронных состояний в германии на основе исследования кинетики его нейтронного легирования, обусловленной реакцией захвата орбитального электрона ⁷¹Ge-⁷¹Ga; метод затем был использован как в полупроводниковой, так и в ядерно-физической областях.

В 2004 году организовал в ФТИ и возглавил направление, связанное с разработкой микро- и нанотехнологий для водородной энергетики.

Автор и соавтор более 180 научных трудов.

Педагогическая и организационная деятельность

Руководит научной школой в ФТИ РАН. С 1993 года — по совместительству профессор кафедры экспериментальной физики СПбГПУ. Читает общий курс физики, организовал учебный семинар по этому курсу. В 2005 году основал и возглавил кафедру физики и современных технологий твердотельной электроники в СПбГЭТУ.

Член диссертационного совета при СПбГПУ. Подготовил 3 кандидатов наук. Член Президиума СПбНЦ РАН.

Награды и премии

Награждён знаком «Изобретатель СССР» (1986). Удостоен премии Совета Министров СССР в составе авторского коллектива за разработку и внедрение преобразователей криогенных температур (1988).

Основные научные труды

• Забродский А. Г., Зиновьева К. Н., Низкотемпературная проводимость и переход металл-диэлектрик в компенсированном n-Ge // ЖЭТФ. 1984. Т. 86, № 2. С. 727—742.
• Забродский А. Г., Алексеенко М. В., Исследование кинетики нейтронного легирования германия: характеристики материалаи определение ядерно-физических постоянных // ФТП. 1969. Т. 275 № 11/12. С. 2033—2054.
• Zabrodskii A.G., Andreev A.G., Anomalously narrow (multielectron) Coulomb gap // In: 22-nd Intern. Conf. Phys. Semicond., Vancouver, Canada, 1994, MoPo42.

Литература

• Редколлегия журнала «Физика и техника полупроводников», Андрей Георгиевич Забродский (к 60-летию со дня рождения) (недоступная ссылка) — «Физика и техника полупроводников», 2006, том 40, вып. 7, стр. 890—891.

Примечания

Ссылки

• Профиль Андрея Георгиевича Забродского на официальном сайте РАН
• Андрей Георгиевич Забродский на информационном вики-портале КЭФ СПбГПУ
• Андрей Георгиевич Забродский на информационно-аналитическом портале российской национальной нанотехнологической сети RusNanoNet.ru