Баллистические транзисторы — собирательное название электронных устройств, где носители тока движутся без диссипации энергии и длина свободного пробега носителей намного больше размера канала транзистора. В теории эти транзисторы позволят создать высокочастотные (ТГц диапазон) интегральные схемы, поскольку быстродействие определяется временем пролёта между эмиттером и коллектором или, другими словами, расстоянием между контактами, делённым на скорость электронов. В баллистическом транзисторе скорость электронов определяется фермиевской скоростью, а не дрейфовой скоростью, связанной с подвижностью носителей тока. Для реализации такого типа транзистора необходимо исключить рассеяние на дефектах кристалла в токовом канале (включая рассеяние на фононах), что можно достичь только в очень чистых материалах, таких как гетероструктура GaAs/AlGaAs. Двумерный электронный газ, сформированный в GaAs квантовой яме, обладает высокой подвижностью при низкой температуре и соответственно большей, чем в других материалах, длиной свободного пробега, что позволяет создавать при помощи электронной литографии устройства, где траекторией электронов можно управлять с помощью затворов или зеркально рассеивающих дефектов, хотя обычный полевой транзистор тоже будет работать как баллистический (при достаточно малых размерах). Баллистические транзисторы также созданы на основе углеродных нанотрубок, где благодаря отсутствию обратного рассеяния (длина свободного пробега увеличивается до линейного размера трубки) рабочие температуры даже выше, чем в случае с GaAs.
Углеродные нанотрубки
Транспорт в одностенных металлических нанотрубках баллистический, но до 2003 года использовать нанотрубки при создании баллистических транзисторов не получалось, поскольку не было известно хорошего материала для омического контакта. Между никелем (титаном) и одностенной металлической углеродной нанотрубкой формируется барьер Шоттки. Эту проблему удалось решить благодаря использованию палладия (для p-типа проводимости), который обладает большой работой выхода и лучшей смачиваемостью (однородное распределение палладия по нанотрубке, в отличие от платины)[1]. Такие транзисторы работают при комнатной температуре, хотя при работе в одномодовом режиме сопротивление транзистора в открытом состоянии не меньше, чем 6 кОм.
 | Стиль этой статьи неэнциклопедичен или нарушает нормы русского языка. |
 | Проверить информацию. |
Пример реализации
Вместо требующего большу́ю мощность управления, полного запирания затвором потока множества медленных электронов, как это делается в обычных полевых транзисторах, в баллистических транзисторах применяется изменение направления ускоряющихся быстрых одиночных электронов электромагнитными силами, требующее значительно меньшую мощность управления. Под действием электрического поля медленные электроны из материала токоподводящего электрода переходят в тонкий сверхпроводящий слой полупроводника транзистора. Медленные электроны, вошедшие в полупроводник, ускоряются электрическим полем схемы на всём пути в полупроводнике. Летящие в тонкой плёнке полупроводника с большой скоростью быстрые электроны не сталкиваются с атомами полупроводника и образуют двумерный электронный газ (не молекулярный). Затем ускоряющиеся электроны отклоняются электрическим или магнитным полем управляющих электродов и направляются по одному из путей. При двух путях, один из путей соответствует логическому "0", а другой - логической "1". Затем быстрые электроны сталкиваются или со стенкой одного из путей или с клиновидным отражателем (дефлектором) отражающими электроны границей полупроводника и донаправляются ими в нужное русло. Название "баллистический" было выбрано для отражения свойства отдельных электронов проходить тонкоплёночный сверхпроводящий слой полупроводника баллистического транзистора без столкновений с атомами полупроводника, действуя в полупроводнике, как двухмерный электронный газ.[2].
История
Первыми баллистическими устройствами были баллистические двухполупериодные выпрямители[3], сделанные из InGaAs–InP гетероструктуры и детектировавшие (выпрямлявшие) переменный ток частотой до 50 ГГц.
Технология
В сверхпроводящей тонкой плёнке полупроводника с названием 2-Dimention Electron Gas (2-DEG, 2DEG) на подложке электронным лучом удаляются ненужные части полупроводника, оставшаяся часть полупроводника является баллистическим двухполупериодным выпрямителем, а при добавлении управляющих электродов — баллистическим дифференциальным усилителем.
Преимущества
Преимуществами являются меньшие размеры, отсутствие дробового шума при низкой температуре[4], меньшая потребляемая мощность и более высокая (терагерцы) частота переключений. Эта технология была впервые разработана в Рочестерском Университете (Штат Нью-Йорк, США), в котором был создан исследовательский прототип, остающийся понятийным до сего времени. Прототип был сделан в Cornell Nanofabrication Facility[5], входящей в партнёрство NNIN НИО США, работающих в области нанотехнологий, с поддержкой Office of Naval Research[2].
Этот прототип подобен интегральным дифференциальным парам транзисторов, что определяет возможные области его применения (дифференциальные входные каскады операционных усилителей, компараторов, логические схемы, подобные ЭСЛ, эмиттерно-связанные триггеры Шмитта и др.).
См. также
Примечания
- ↑ Ali Javey, Jing Guo, Qian Wang, Mark Lundstrom & Hongjie Dai Ballistic carbon nanotube field-effect transistors Nature 424, 654 (2003)
- 1 2 Radical 'ballistic computing' chip bounces electrons like billiards. University of Rochester. Проверено 1 января 2019. Архивировано 17 августа 2012 года.
- ↑ Room-Temperature Ballistic Nanodevices. Aimin M. Song. Department of Electrical Engineering and Electronics, University of Manchester Institute of Science and Technology, Manchester M60 1QD, England http://personalpages.manchester.ac.uk/staff/A.Song/publications/Enn.pdf
- ↑ Ya. M. Blanter and M. Büttiker. Shot Noise in Mesoscopic Conductors. Phys. Rep. 336, 1 (2000).
- ↑ The Cornell NanoScale Science & Technology Facility (CNF)
- ↑ Баллистический транзистор. Блок 021 (недоступная ссылка)
Ссылки
- CMOS Emerging Technology Workshop 2007. Ballistic Transistor Technology – Next Paradigm in IC Design. Martin Margala1, and Quentin Diduck2. 1 University of Massachusetts Lowell. 2 Cornell University http://www.cmoset.com/uploads/12.4.pdf (недоступная+ссылка)
- Radical 'Ballistic Computing' Chip Bounces Electrons Like Billiards http://www.rochester.edu/news/show.php?id=2585
- Видеоклип с анимацией модели баллистического транзистора http://www.rochester.edu/news/photos/hi_res/BallisticTransistor/BallisticMovie.wmv
- Баллистический транзистор играет электронами в атомный бильярд. Владислав Карелин. membrana, 18 августа 2006 http://www.membrana.ru/particle/3107
- Баллистический транзистор играет электронами в атомный бильярд http://art.thelib.ru/science/inventions/ballisticheskiy_tranzistor_igraet_elektronami_v_atomniy_bilyard.html
- Чип и Дип Видео. Баллистический транзистор. Евгений Глазков http://www.chipdip.ru/video.aspx?vid=ID000309492
- United States Patent No.: US 7,576,353 B2 Aug. 18, 2009 http://www.docstoc.com/docs/57560802/Ballistic-Deflection-Transistor-And-Logic-Circuits-Based-On-Same---Patent-7576353
- Ballistic Deflection Transistors and the Emerging Nanoscale Era. SECTION III BALLISTIC TRANSPORT DEVICES. B. Ballistic Deflection Transistors http://ieeexplore.ieee.org/ieee_pilot/articles/5076158/05117685/article.html
 | |
|---|---|
| Пассивные | |
| Активные твердотельные |
|
| Активные вакуумные и газоразрядные | |
| Устройства отображения | |
| Акустические | |
| Термоэлектрические | |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .