НВМ (англ. high bandwidth memory — память с высокой пропускной способностью) — высокопроизводительный интерфейс ОЗУ для DRAM с многослойной компоновкой кристаллов в микросборке[en] от компаний AMD и Hynix, применяемая в высокопроизводительных видеокартах и сетевых устройствах[1]; основной конкурент технологии Hybrid Memory Cube от Micron[2]. AMD Fiji и AMD Arctic Islands являются первыми видеопроцессорами, использующими НВМ[3].
HBM была стандартизирована JEDEC в октябре 2013 года как JESD235[4], HBM2 стандартизована в январе 2016 года под кодом JESD235a[5]. На середину 2016 года сообщалось о работах над HBM3 и более дешёвым вариантом HBM[6].
Технология
HBM обеспечивает более высокую пропускную способность при меньшем расходе энергии и существенно меньших размерах по сравнению с DDR4 или GDDR5[7]. Это достигается путём объединения в стек до восьми интегральных схем DRAM (включая опциональную базовую схему с контроллером памяти), которые соединены между собой с помощью сквозных кремниевых межсоединений (англ. Through-silicon via) и микроконтактных выводов (англ. microbumps).
Шина НВМ-памяти обладает существенно большей шириной по сравнению с памятью DRAM, в частности, НВМ-стек из четырёх кристаллов DRAM (4-Hi) имеет два 128-битных канала на кристалл — в общей сложности 8 каналов и ширину в 1024 бита, а чип с четырьмя 4-Hi-НВМ-стеками будет иметь ширину канала памяти в 4096 бита (притом ширина шины GDDR-памяти — 64 бита на один канал)[8]
HBM 2
12 января 2016 HBM2-память была стандартизирована как JESD235a.[5]
HBM2 позволяет разместить до 8 схем на штабеле, что удваивает пропускную способность.
История
AMD начала разработку HBM в 2008 году чтобы решить проблему постоянно растущего энергопотребления и уменьшения форм-фактора памяти. Среди прочего, группой сотрудников AMD во главе с Брайаном Блэком разработана технологии упаковки интегральных схем в стек. Партнеры: SK Hynix, UMC, Amkor Technology и ASE[en] были также вовлечены в разработку[9]. Массовое производство началось на заводах Hynix в Ичхоне в 2015 году.
См. также
Примечания
- ↑ ISSCC 2014 Trends Архивировано 6 февраля 2015 года. page 118 «High-Bandwidth DRAM»
- ↑ Where Are DRAM Interfaces Headed?
- ↑ Morgan, Timothy Prickett. Future Nvidia ‘Pascal’ GPUs Pack 3D Memory, Homegrown Interconnect, EnterpriseTech (March 25, 2014). Проверено 26 августа 2014. «Nvidia will be adopting the High Bandwidth Memory (HBM) variant of stacked DRAM that was developed by AMD and Hynix».
- ↑ High Bandwidth Memory (HBM) DRAM (JESD235), JEDEC, October 2013
- 1 2 JESD235a: High Bandwidth Memory 2 (12 января 2016).
- ↑ SK Hynix, Samsung and Micron Talk HBM, HMC, DDR5 at Hot Chips 28
- ↑ HBM: Memory Solution for Bandwidth-Hungry Processors Архивировано 24 апреля 2015 года., Joonyoung Kim and Younsu Kim, SK hynix // Hot Chips 26, August 2014
- ↑ Highlights of the HighBandwidth Memory (HBM) Standard.
- ↑ High-Bandwidth Memory (HBM) from AMD: Making Beautiful Memory
Ссылки
- High Bandwidth Memory (HBM) DRAM (JESD235), JEDEC, October 2013
- 25.2 A 1.2V 8Gb 8-channel 128GB/s high-bandwidth memory (HBM) stacked DRAM with effective microbump I/O test methods using 29 nm process and TSV. D.U Lee, SK hynix, ISSCC 2014
- DOI:10.1109/ISSCC.2014.6757501
 | |
|---|---|
| Асинхронная | |
| Синхронная | |
| Графическая | |
| Rambus | |
| Модули памяти | |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .