Обращённый дио́д — полупроводниковый диод, вольт-амперная характеристика которого обусловлена туннельным эффектом в области p-n-перехода[2].
Прямая ветвь вольт-амперной характеристики обращённого диода аналогична прямой ветви ВАХ типичного выпрямительного диода с p-n-переходом, а в отличие от туннельного диода, практически не имеет «горба», что обусловлено немного меньшей, чем у туннельного диода, концентрацией примесей в полупроводнике[3].
По сути, обращённые диоды — это вырожденные туннельные диоды. Обратные токи у них велики уже при ничтожно малых обратных напряжениях (десятки милливольт) и значительно превосходят прямые токи в при таком же прямом напряжении.
Из-за неполного легирования обладает значительной температурной зависимостью параметров[3][1][4].
Так как полупроводниковый материал относительно сильно легирован, эти диоды малочувствительны к ионизирующему излучению.
Благодаря малой ёмкости и отсутствию накопления неосновных носителей обращённые диоды применяется в СВЧ-схемах детектирования (выпрямления малых сигналов). При этом максимальное рабочее обратное напряжение не превышает 0,7 В.
Также применяются в смесителях СВЧ-сигналов, например, в приёмном тракте радиолокационных станций[2].
Так как при малых прямых смещениях дифференциальное сопротивление диода очень велико, а даже при небольших обратных напряжениях оно мало, эти приборы применяются в коммутаторах и переключателях малых СВЧ-сигналов.
Это заготовка статьи об электронике. Вы можете помочь проекту, дополнив её. |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .