Владимир Григорьевич Мокеров | |
---|---|
| |
Дата рождения | 2 мая 1940 |
Место рождения | село Даровское Даровского р-на Кировской области СССР |
Дата смерти | 23 сентября 2008 (68 лет) |
Место смерти |
Москва, |
Страна |
|
Научная сфера | физика полупроводников, технология микро- и наноэлектроники, физика низкоразмерных систем |
Место работы | Институт СВЧ полупроводниковой электроники Российской академии наук |
Альма-матер | Ленинградский государственный университет |
Учёная степень | доктор физико-математических наук |
Учёное звание | член-корреспондент АН СССР, профессор |
Награды и премии |
Влади́мир Григо́рьевич Моке́ров (2 мая 1940 года — 23 сентября 2008 года) — советский и российский физик, доктор физико-математических наук (1982), профессор (1989), член-корреспондент АН СССР (1990)[1], член-корреспондент РАН (1991).
Основатель и первый директор Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники РАН, носящего теперь его имя[2]. Создатель научной школы в области гетероструктурной СВЧ электроники[3].
Владимир Григорьевич Мокеров родился 2 мая 1940 года в семье сельского учителя. Отец — Григорий Иванович Мокеров, мать — Мария Сергеевна Мокерова. В 1945 году семья поселяется в Ленинграде. В 1957 году окончил ленинградскую среднюю школу № 35. В 1958 году поступил на Физический факультет Ленинградского государственного университета. В 1963 году Владимир Григорьевич окончил ЛГУ и поступил на должность инженера в НИИ Молекулярной электроники МЭП СССР в г. Зеленограде. В 1967 году обнаруживает аномальные явления при фазовом переходе полупроводник-металл в плёнках окислов ванадия[4]. В 1970 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Электрические и оптические свойства двуокиси ванадия при фазовом переходе полупроводник-полуметалл». С 1967 по 1988 год преподавал в Московском институте электронной техники (МИЭТ). В 1977 году возглавил отдел изучения эпитаксиальных структур НИИМЭ. В 1982 году защитил докторскую диссертацию по теме «Исследование окислов ванадия»[5]. В 1984 году в отделе Мокерова создан первый в СССР полевой транзистор на основе гетероструктуры GaAs/GaAlAs[6][7].
В середине 1980-х годов являлся главным технологом Министерства электронной промышленности СССР по операционному контролю технологии больших интегральных схем. Его работы в этот период внесли значительный вклад в повышение качества и уровня отечественного производства микросхем. В 1988 году перешел на работу в Институт радиотехники и электроники АН СССР на должность руководителя Отдела Микро- и наноэлектроники. В 1989 году Мокерову В. Г. присвоено учёное звание профессора по специальности «Твердотельная электроника и микроэлектроника». Преподавал в Московском физико-техническом институте. В 1991 году переходит на преподавательскую работу в Московский институт радиотехники, электроники и автоматики (МИРЭА), возглавив кафедру «Полупроводниковых приборов». С 1991 года — заместитель директора ИРЭ РАН по научной работе. В 1994 году в Отделе Мокерова созданы первые российские транзисторные структуры с квантовой ямой InGaAs/GaAs[8][9]
16 апреля 2002 года — вышло постановление Президиума РАН о создании Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук, директором которого был назначен Мокеров В. Г.. 26 февраля 2008 года в Национальном исследовательском ядерном университете «МИФИ» создана кафедра Физики наноразмерных гетероструктур и СВЧ наноэлектроники. Мокеров В. Г. был назначен заведующим кафедрой.
Являлся членом редколлегий журналов «Микроэлектроника», «Радиотехника и электроника» и «Микросистемная техника». Являлся действительным членом — академиком Академии электротехнических наук РФ и членом Международного института инженеров-электриков и электронщиков (IEEE, Нью-Йорк, США). Скончался в Москве 23 сентября 2008 года. Похоронен на Ваганьковском кладбище Москвы[источник не указан 152 дня].
26 июля 2010 года был образован Фонд поддержки образования и науки имени члена-корреспондента РАН профессора В. Г. Мокерова[10], премирующий талантливых студентов и молодых ученых, работающих в области гетероструктурной СВЧ электроники именными стипендиями и грантами.
С мая 2010 года на базе НИЯУ МИФИ ежегодно проводятся Международные Научно-практические конференции по физике и технологии наногетероструктурной СВЧ электроники под названием «Мокеровские чтения»[11].
Приказом ФАНО России от 24.01.2018 г. № 23 Федеральному государственному автономному научному учреждению Института сверхвысокочастотной полупроводниковой электроники Российской академии наук присвоено имя члена-корреспондента Российской академии наук Мокерова Владимира Григорьевича[12].
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .