Инверсный слой - слой у поверхности полупроводника, возникающий под действием электрических полей, приложенных к полупроводнику. Проводимость инверсного слоя определяется концентрацией неосновных носителей заряда полупроводника.
Qs - полный заряд в полупроводнике
В ГОСТ 15133-77[1] дается следующее определение:
Слой у поверхности полупроводника, в котором тип электропроводности отличается от типа электропроводности в объеме полупроводника в связи с наличием электрического поля поверхностных состояний, внешнего электрического поля у поверхности или поля контактов разности потенциалов.
Свойства
Основной характеристикой инверсного слоя является его толщина. Толщина слоя зависит от типа полупроводника, концентрации примесных атомов и величины приложенного поля.
Примечания
 |
Это заготовка статьи по физике. Вы можете помочь проекту, дополнив её. |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .