Верхний затвор — затвор, который находится над образцом с противоположной от подложки стороны. Терминология сложилась на данный момент в технологии, связанной с графеном для того, чтобы отличать от затвора, в качестве которого служит высоколегированая кремниевая подложка. Ситуация с названиями противоположна в графене и МОП-транзисторах, поскольку в последнем случае обычно отсутствует обратный затвор.
Графен находится на поверхности SiO2/Si, ничем не ограничен сверху, поэтому для создания верхнего затвора сначала наносят диэлектрический слой, а потом напыляют металл. В самой первой работе использовали в качестве диэлектрика SiO2.[1] Выбор диэлектрика может влиять на подвижность носителей тока в графене благодаря зарядам или дефектам в его структуре. Среди других материалов, использованных в качестве диэлектрика, существуют: PMMA[2], Al2O3[3], HfO2[4].
В идеале можно обойтись без диэлектрика вообще и использовать подвешенный верхний затвор, который не влияет на подвижность[5][6].
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .