Лео Эсаки | |
---|---|
江崎 玲於奈 | |
| |
Дата рождения | 12 марта 1925[1][2][3] (93 года) |
Место рождения | Осака, Япония |
Страна | |
Научная сфера | физика |
Место работы | Киотский университет, Технологический институт Сибаура[en], Цукубский университет[en] и Иокогамский фармацевтический колледж[en] |
Альма-матер | |
Награды и премии |
|
Лео Эсаки (яп. 江崎 玲於奈 Эсаки Рэона, известен также как Рэона Эсаки или Леона Эсаки; род. 12 марта 1925, Осака, Япония) — японский физик, лауреат Нобелевской премии по физике в 1973 году. Половина премии, совместно с Айваром Джайевером, «за экспериментальные открытия туннельных явлений в полупроводниках и сверхпроводниках». Вторая половина присуждена Б. Д. Джозефсону «за теоретическое предсказание свойств тока, проходящего через туннельный барьер, в частности явлений, общеизвестных ныне под названием эффектов Джозефсона». Лео Эсаки также известен как изобретатель диода Эсаки, использующего эффект туннелирования электрона.
Лео Эсаки изучал физику в Токийском университете, получил степень бакалавра в 1947 году, степень доктора философии в 1959 году. Нобелевскую премию получил за исследования, проведённые в 1958 году во время работы в компании Sony. Впоследствии в 1960 году переехал в США и стал работать в исследовательском центре фирмы IBM, где был удостоен звания лауреата IBM[en] в 1967 году.
В его честь названа Премия Лео Эсаки[ja].
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .