WikiSort.ru - Не сортированное

Фосфорен
Общие
Наименование	Фосфорен
Традиционные названия	Монослой фосфора
Методы получения	Механическое расщепление[1][2]
Структура
Кристаллическая структура	Орторомбическая решётка[3]
Постоянная решётки	[0,44, 0,33] нм[3]
Химические свойства
Химическая формула	Pn
Известные соединения
Электронные свойства
Эффективная масса электронов	0,26m0[3]
Эффективная масса дырок	0,34m0[3]
Зонная структура
Проводяшие свойства	Полупроводник[3]
Ширина запрещённой зоны	1,75 эВ[3]

Фосфорен — двумерная аллотропная модификация фосфора, которая получается из черного фосфора разделённого на моноатомные слои. Структура фосфорена похожа на более известное соединение — графен, что нашло отражение в названии. В отличие от графена фосфорен является полупроводником с запрещённой зоной равной 1,75 эВ^[3]. Впервые фосфорен получен в 2014 году методом механическоо расщепления^[1][2]. Графен и фосфорен единственные стабильные простые вещества которые можно получить расщепляя трёхмерные кристаллы^[2].

Транспортные измерения образцов, осаждённых на окисленную кремниевую подожку, показали что фосфорен обладает анизотропной проводимостью, а именно эффективная масса электрона зависит от направления его движения в кристалле. Фосфорен обладает p-типом проводимости, что позволило реализовать CMOS инвертор на фосфене и транзисторе n-типа сделанным из MoS₂^[2].

Примечания

Литература

• Xia F., Wang H., Jia Y. (2014). “Rediscovering black phosphorus as an anisotropic layered material for optoelectronics and electronics”. Nature Communications. 5: 4458. arXiv:1402.0270. DOI:10.1038/ncomms5458.
• Liu H., Neal A. T., Zhu Z., Luo Z., Xu X., Tománek D., Ye P. D. (2014). “Phosphorene: An Unexplored 2D Semiconductor with a High Hole Mobility”. ACS Nano (journal). 8 (4): 4033. arXiv:1401.4133. DOI:10.1021/nn501226z.
• Li P., Appelbaum I. (2014). “Electrons and holes in phosphorene”. Phys. Rev. B. 90 (11): 115439. arXiv:1408.0770. DOI:10.1103/PhysRevB.90.115439.
• Castellanos-Gomez A. V. et. al. (2014). “Isolation and characterization of few-layer black phosphorus”. 2D Materials. 1: 025001. DOI:10.1088/2053-1583/1/2/025001.
• Li L. et. al. (2014). “Black phosphorus field-effect transistors”. Nature Nanotechnology. 9 (5): 372—377. arXiv:1401.4117. DOI:10.1038/nnano.2014.35.
• Qiao J., Kong X., Hu Z.-X., Yang F., Ji W. (2014). “High-mobility transport anisotropy and linear dichroism in few-layer black phosphorus”. Nature Communications. 5: 4475. arXiv:1401.5045. DOI:10.1038/ncomms5475.
• Rodin A. S., Carvalho A., Castro Neto A. (2014). “Strain-Induced Gap Modification in Black Phosphorus”. Physical Review Letters. 112 (17): 176801. arXiv:1401.1801. DOI:10.1103/PhysRevLett.112.176801.
• Low T., Roldan R. et. al (2014). “Plasmons and Screening in Monolayer and Multilayer Black Phosphorus”. Physical Review Letters. 113: 106802. arXiv:1404.4035. DOI:10.1103/PhysRevLett.113.106802.
• Low T., Engel M. et. al. (2014). “Origin of photoresponse in black phosphorus phototransistors”. Physical Review B Rapid. 90: 081408. arXiv:1407.7286. DOI:10.1103/PhysRevB.90.081408.
• Low T., Rodin A. S., Carvalho A., Jiang Y., Wang H., Xia F., Castro Neto A. H. (2014). “Tunable optical properties of multilayer black phosphorus thin films”. Physical Review B. 90: 075434. arXiv:1404.4030. DOI:10.1103/PhysRevB.90.075434.
• Zhu Z., Tomanek D. (2014). “Semiconducting layered blue phosphorus: A computational study”. Physical Review Letters (journal). 112 (17): 176802. DOI:10.1103/PhysRevLett.112.176802.
• Reich S. E. (2014). “Phosphorene excites materials scientists”. Nature (journal). 506 (19): 19. DOI:10.1038/506019a. Проверено February 10, 2014.
• Island J. O., Steele G. A., van der Zant H. S. J., Castellanos-Gomez A. (2015). “Environmental instability of few-layer black phosphorus”. 2D Materials. 2: 011002. DOI:10.1088/2053-1583/2/1/011002.