WikiSort.ru - Не сортированное

Юрий Михайлович Таиров
Дата рождения	1 ноября 1931(1931-11-01) (87 лет)
Место рождения	Псков
Гражданство	СССР СССР
Награды и премии

Юрий Михайлович Таиров (род. 1 ноября 1931, Псков) — специалист в области физики и технологии широкозонных полупроводников и электронных приборов на их основе. Доктор технических наук (1975), профессор (1977).

Биография

Поступил в ЛЭТИ в 1950 г., но вскоре в 1951 г. был сослан в Казахстан как сын «врага народа» (отец М. А. Таиров арестован в 1949 г. по так называемому «ленинградскому делу», реабилитирован в 1954 г.). В 1953 г., после смерти Сталина, был реабилитирован и восстановлен в качестве студента в ЛЭТИ. В 1959 г. окончил кафедру «Диэлектрики и полупроводники» и получил диплом инженера. С этого года работал на кафедре диэлектриков и полупроводников (теперь кафедра микро- и наноэлектроники) в должности старшего инженера проблемной лаборатории электрофизических процессов в диэлектриках и полупроводниках. В 1959/1960 учебном году стажировался в Калифорнийском университете (Беркли, США). Там Таиров познакомился с достижениями зарубежных ученых, прослушал курсы квантовой механики, физики твердого тела, теории полупроводников. По возвращении стал заниматься синтезом монокристаллического карбида кремния и в 1963 г. успешно защитил кандидатскую, а в 1975 г. - докторскую диссертации по этой тематике. В 1964-65 м гг. был ассистентом кафедры, в 1965-1975 г. - доцентом.

Проректор по научной работе (1970—1988). С 1976 г. профессор кафедры диэлектриков и полупроводников. Читает курсы «Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов», «Проблемы современной электроники», «Технология полупроводниковых приборов и интегральных микросхем» и др.

Таиров теоретически обобщил и решил проблему физико-химических основ выращивания политипной структуры ряда широкозонных полупроводников и управления ею, разработал метод выращивания объемных кристаллов полупроводникового карбида кремния различных политипных модификаций («метод ЛЭТИ»), широко используемый для промышленного производства слитков карбида кремния ведущими фирмами мира.

Автор более 300 научных трудов, в том числе 5 монографий, 2 учебников, более 70 авторских свидетельств. Один из создателей Центра микротехнологий и диагностики ЛЭТИ. Член Международного комитета по карбиду кремния, председатель и член программных комитетов отечественных и зарубежных конференций по широкозонным полупроводникам, член научного совета по физике полупроводников РАН, член редколлегии журналов «ФТП», «Электроника», «Материалы электронной техники» и др.

Награды

Заслуженный деятель науки и техники РФ (1992), Заслуженный профессор ЛЭТИ, Почетный доктор Новгородского госуниверситета. Соросовский профессор (1997—2001). Орден Трудового Красного Знамени, орден Почета. Медали.

Труды

• Технология полупроводниковых и диэлектрических материалов: Учебник. М.: Высшая школа, 1983, 1990, 2002
• Технология полупроводниковых приборов: М.: Высшая школа, 1984

Литература

• Лабиринты памяти: Альманах / Под общ. ред. В. В. Лучинина. СПб.: СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2011. 304 с.
• Выдающиеся выпускники и деятели Санкт-Петербургского государственного электротехнического университета «ЛЭТИ» имени В. И. Ульянова (Ленина). 1886—2006: биографический справочник / под ред. Д. В. Пузанкова. СПб: Изд-во СПбГЭТУ «ЛЭТИ», 2006. 350 с. ISBN 5-7629-0721-X
• Газета «Электрик». Ноябрь 2011. № 16 (3096) (посвящён 65-летию кафедры микро- и наноэлектроники).

Это заготовка статьи об учёном-физике. Вы можете помочь проекту, дополнив её.