WikiSort.ru - Не сортированное

ПОИСК ПО САЙТУ | о проекте
Микросхемы ОЗУ 565РУ6 и К565РУ3

Для построения памяти компьютера, как оперативной памяти, так и постоянной, широко применяют полупроводниковые запоминающие устройства. Зачастую эти устройства строятся на микросхемах. В зависимости от конструкторских требований к создаваемому компьютеру, производится выбор типа, вида и конкретной серии микросхем.

Сводные данные микросхем, применявшихся в СССР для создания памяти компьютера

Полупроводниковые БИС запоминающих устройств, применяемые в ЭВМ
Тип микросхемыТехнология изготовленияИнформационный объём, КбитОрганизация, слов × разрядовВремя выборки адреса, нсПотребляемая мощность, мВт
Статические ОЗУ
К550РУ145ЭСЛ0,0640,016 К × 110825
К531РУ11ПТТЛШ0,0640,016 К × 140550
К155РУ5ТТЛ0,2560,256 К × 190735
К176РУ2КМОП0,2560,256 К × 190019
К561РУ2А/БКМОП0,2560,256 К × 1970/16002,8/5
К132РУ2А/Бn-МОП11 К × 1950440
К132РУ3А/Бn-МОП11 К × 175/125660
К155РУ7ТТЛ11 К × 145840
К537РУ1А/Б/ВКМОП11 К × 11,3/2/40,5
КР565РУ2А/Бn-МОП11 К × 1450 /850385
КМ132РУ8А/Бn-МОП4 К1 К × 460/100900
К541РУ2АИ2Л4 К1 К × 4120/90525
КР537РУ3А/Б/ВКМОП4 К4 К × 1320110
К541РУ31…34И2Л8 К8 К × 1150565
КР537РУ8А/БКМОП16 К2 К × 8220/400160
КР132РУ6А/Бn-МОП16 К16 К × 175/120140/440
К541РУ3/АИ2Л16 К16 К × 1150/100565
Динамические ОЗУ
КР565РУ6Б/В/Г/Дn-МОП16 К16 К×1230…460150/140/130/120
К565РУ5Б/В/Г/Дn-МОП64 К64 К×1230…46021…32
К565РУ7В/Г/Дn-МОП256 К256 К×1340/410/500120…150
Масочные ПЗУ
К155РЕ21/22/23/24ТТЛ1 К256×470690
КР568РЕ2n-МОП64 К8 К×8400590
К569РЕ1ТТЛ64 К8 К×8350640
КР568РЕ3n-МОП64 К16 К×4800300
Однократно программируемые ПЗУ
КР556РТ1БТТЛШ8 К2К×460740
КР556РТ16ТТЛШ64 К8К×8851000
КР556РТ17ТТЛШ4 К0,512К×850890
КР556РТ18ТТЛШ16 К2К×860950
Репрограммируемые ПЗУ
К573РФ23/24n-МОП2К×4450200/580
К573РФ33/34n-МОП16 К1К×16200/580200/580
К573РФ2n-МОП16 К2К×8450200/580
К537РФ5n-МОП16 К2К×8450135/580
К573РФ31/32n-МОП32 К2К×16450450
К537РФ41/42n-МОП32 К4К×8500700
К573РФ43/44n-МОП32 К8К×4Н/ДН/Д
К573РФ3n-МОП64 К4К×16450210/450
К573РФ4n-МОП64 К8К×8500200/700
К573РФ6n-МОП64 К8К×8500265/870

Микросхемы для построения ОЗУ

ИМСТип корпусаПримечание
Серия К132 n-МОП статические ОЗУ; +5 В
К132РУ3А4112.16-2Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс
К132РУ3Б4112.16-2Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс
Серия КМ132 n-МОП статические ОЗУ; +5 В
КМ132РУ3А201.16-8Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс
КМ132РУ3Б201.16-8Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс
КМ132РУ5А2104.18-1Статическое ОЗУ 4К×1; 60 нс
КМ132РУ5В2104.18-1Статическое ОЗУ 4К×1; 55 нс
КМ132РУ8А2104.18-1Статическое ОЗУ 1К×4; 60 нс
КМ132РУ8Б2104.18-1Статическое ОЗУ 1К×4; 100 нс
КМ132РУ9А2104.18-1Статическое ОЗУ 1К×4; 50 нс
КМ132РУ9Б2104.18-1Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс
Серия КР132 n-МОП статические ОЗУ; +5 В
КР132РУ3А2103.16-6Статическое ОЗУ 1К×1; 60 нс
КР132РУ3Б2103.16-6Статическое ОЗУ 1К×1; 110 нс
КР132РУ4А2103.16-6Статическое ОЗУ 1К×1; 33 нс
КР132РУ4Б2103.16-6Статическое ОЗУ 1К×1; 50 нс
КР132РУ6А2140Ю.20-3Статическое ОЗУ 16К×1; 45 нс; 410 мВт
КР132РУ6Б2140Ю.20-3Статическое ОЗУ 16К×1; 70 нс; 410 мВт
КР132РУ72140Ю.20-3Статическое ОЗУ 2К×8; 250 нс
Серия КМ185 ТТЛ ОЗУ; +5 В
КМ185РУ72108.22-1ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВт
КМ185РУ7А2108.22-1ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВт
КМ185РУ82108.22-1ОЗУ 256×8; 45 нс; 925 мВт
КМ185РУ102108.22-1ОЗУ 16К×1; 50 нс; 750 мВт
Серия КР185 ТТЛ ОЗУ; +5В
КР185РУ7210А.22-3ОЗУ 256×4; 75 нс; 495 мВт
КР185РУ7А210А.22-3ОЗУ 256×4; 45 нс; 450 мВт
Серия КР188 КМОП статические ОЗУ
КР188РУ2А238.16-1Статическое ОЗУ 256×1; 500 нс
Серия К537 КМОП статические ОЗУ; +5 В
К537РУ3А4116.18-1Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нс
К537РУ3Б4116.18-1Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нс
К537РУ4А4116.18-1Статическое ОЗУ 4К×1; 200 нс; 40 мкВт (в режиме хранения информации)
К537РУ4Б4116.18-1Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нс; 80 мкВт (в режиме хранения информации)
К537РУ4В4116.18-1Статическое ОЗУ 4К×1; 500 нс; 80 мкВт (в режиме хранения информации)
К537РУ13427.18-2.02Статическое ОЗУ 1К×4; 150 нс; 60 мкВт (в режиме хранения информации)
Серия КМ537 КМОП статические ОЗУ; +5 В
КМ537РУ1201.16-15Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нс
Серия КР537 КМОП статические ОЗУ; +5 В
КР537РУ1238.16-1Статическое ОЗУ 1К×1; 300 нс
КР537РУ2А2107.18-4Статическое ОЗУ 4К×1; 300 нс
КР537РУ2Б2107.18-4Статическое ОЗУ 4К×1; 430 нс
КР537РУ3А2107.18-1Статическое ОЗУ 4К×1; 250 нс; 100 мВт; 5 мкВт (в режиме хранения информации)
КР537РУ3Б2107.18-1Статическое ОЗУ 4К×1; 160 нс; 100 мВт; 250 мкВт (в режиме хранения информации)
КР537РУ5А210А.22-3Статическое ОЗУ 1К×4; 300 нс
КР537РУ5Б210А.22-3Статическое ОЗУ 1К×4; 400 нс
КР537РУ8А239.24-2Статическое ОЗУ 2К×8; 220 нс
КР537РУ8Б239.24-2Статическое ОЗУ 2К×8; 400 нс
КР537РУ10А239.24-2Статическое ОЗУ 2К×8; 200 нс
КР537РУ11А239.24-2Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 1,5 мВт (в режиме хранения информации)
КР537РУ11Б239.24-2Статическое ОЗУ 256×16; 440 нс; 2,4 мВт (в режиме хранения информации)
КР537РУ132107.18-1Статическое ОЗУ 1К×4; 160 нс
Серия К541 ТТЛШ-ИИЛ; +5 В
К541РТ1402.16-21ПЗУ 256×4; 80 нс; 400 мВт
К541РУ2427.18-2.03Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нс
К541РУ2А427.18-2.03Статическое ОЗУ 1К×4; 90 нс; 525 мВт
Серия КР541 ТТЛШ-ИИЛ; +5 В
КР541РУ12107.18-1Статическое ОЗУ 4К×1; 100 нс; 490 мВт
КР541РУ1А2107.18-1Статическое ОЗУ 4К×1; 70 нс; 450 мВт
КР541РУ22107.18-1Статическое ОЗУ 1К×4; 120 нс; 550 мВт
Серия КЕ565 n-МОП-ОЗУ
КЕ565РУ1А2108.22-8Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, −5, −12 В
КЕ565РУ1Б2108.22-8Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, −5, −12 В
Серия КР565 n-МОП-ОЗУ
КР565РУ1А210А.22-3Динамическое ОЗУ 4К×1; 400 нс; +5, −5, −12В
КР565РУ1Б210А.22-3Динамическое ОЗУ 4К×1; 590 нс; +5, −5, −12В
КР565РУ5В2103.16-8Динамическое ОЗУ 64К×1; 150 нс; +5В; 195 мВт
КР565РУ5Г2103.16-8Динамическое ОЗУ 64К×1; 200 нс; +5В; 185 мВт
КР565РУ5Е2103.16-8Динамическое ОЗУ около 64К×1; 250 нс; +5В; 160 мВт
КР565РУ6Б2103.16-2Динамическое ОЗУ 16К×1; 120 нс; +5В; 140 мВт
КР565РУ6В2103.16-2Динамическое ОЗУ 16К×1; 150 нс; +5В; 120 мВт
КР565РУ6Г2103.16-2Динамическое ОЗУ 16К×1; 200 нс; +5В; 115 мВт
КР565РУ6Д2103.16-2Динамическое ОЗУ 16К×1; 250 нс; +5В; 110 мВт
Серия К1500 ЭСЛ с повышенным быстродействием; −4,5 В
К1500РУ0734114.24-3ОЗУ 64×4, 6 нс; 990 мВт
Серия КМ1603
КМ1603РУ1210А.22-1Статическое ОЗУ 256×4; 360 нс; 75 мкВт (в режиме хранения информации)

К565РУ3

К565РУ3

К565РУ3 — электронный компонент, микросхема динамического ОЗУ с произвольным доступом, имеющая ёмкость 16 384 бит и организацию 16 384×1.

К565РУ7

Микросхема К565РУ7 представляет собой выполненное по полупроводниковой технологии на n-канальных МОП-транзисторах устройство с произвольной выборкой динамического типа ёмкостью 262 144 бит (организация 262 144×1 разряд).

Микросхемы для построения ПЗУ

Микросхема ППЗУ КР556РТ11
Микросхема ППЗУ К573РФ1
ИМСТип корпусаПримечание
Серия КР556 ТТЛШ-ППЗУ;
КР556РТ22121.28-1Матрица ПЛМ, 16 входных переменных, 48 конъюкций, 8 выходных переменных, ТС
КР556РТ4238.16-2ПЗУ 256×4; ОК; 70 нс; 683 мВт
КР556РТ4А238.16-2ПЗУ 256×4; ОК; 45 нс; 683 мВт
КР556РТ5239.24-2ПЗУ 512×8; ОК; 70 нс; 1Вт
КР556РТ6239.24-2ПЗУ 2Kx8; ОК; 80 нс; 1Вт
КР556РТ7239.24-2ПЗУ 2Kx8; ТС; 80 нс; 1Вт
КР556РТ11238.16-2ПЗУ 256×4; ТС; 45 нс; 650 мВт
КР556РТ16239.24-2ПЗУ 8Kx8; ТС; 85 нс; 950 мВт
КР556РТ18239.24-2ПЗУ 2Kx8; ТС; 60 нс; 900 мВт
КР556РТ20239.24-2ПЗУ 1Kx8; ТС; 30 нс; 960 мВт
Серия КР558 ЭППЗУ; +5, −12В
КР558РР1405.24-7ЭППЗУ 256×8; 5мкс; 370 мВт
КР558РР2А405.24-7ЭППЗУ 2Кx8; 350 нс; 490 мВт
КР558РР2Б405.24-7ЭППЗУ 2Кx8; 700 нс; 490 мВт
КР558РР42121.28-5ЭППЗУ 8Кx8; 400 нс; 400 мВт
КР558ХП1239.24-27-разрядный десятичный счетчик, ЭППЗУ, дешифратор двоичного кода
КР558ХП22103.16-624-разрядный сдвиговый регистр, ЭППЗУ 16×24; 310 мВт
Серия КР568 МОП-ПЗУ; +5, +12, −5В
КР568РЕ12120.24-3ПЗУ статического типа 2Кx8; 700 нс
КР568РЕ22121.28-5ПЗУ 8Кx8; 250 нс; 420 мВт
КР568РЕ32121.28-5ПЗУ 16Кx8; 550 нс; 315 мВт
Серия 573 ППЗУ
К573РР22120.24-1.02ЭППЗУ 2Кx8; 350 нс; +5В; 590 мВт
К573РР212120.24-1.02ЭППЗУ 1Кx8; 350 нс; +5В; 590 мВт
К573РР222120.24-1.02ЭППЗУ 1Кx8; 350 нс; +5В; 590 мВт
К573РФ1210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 820 мВт
К573РФ2210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; 440 мВт
К573РФ3210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 400 нс; +5В; 200 мВт
К573РФ3А210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 550 нс; +5В; 446 мВт
К573РФ3Б210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx16; 800 нс; +5В; 446 мВт
К573РФ4А2121.28-8ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ4Б2121.28-8ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ5210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; +5В; 525 мВт
К573РФ6А2121.28-6.04ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 300 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ6Б2121.28-6.04ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx8; 450 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ72121.28-6ППЗУ с УФ-стиранием 32Кx8; 300 нс; 600 мВт
К573РФ11210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450 нс; 820 мВт
К573РФ12210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 512×8; 450 нс; 820 мВт
К573РФ13210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 820 мВт
К573РФ14210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 820 мВт
К573РФ21210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 440 мВт
К573РФ22210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx8; 450 нс; 440 мВт
К573РФ23210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; 440 мВт
К573РФ24210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx8; 450 нс; 440 мВт
К573РФ31210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400 нс; 400 мВт
К573РФ32210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400 нс; 400 мВт
К573РФ33210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 2Кx16; 400 нс; 400 мВт
К573РФ34210Б.24-5ППЗУ с УФ-стиранием 1Кx16; 400 нс; 400 мВт
К573РФ41А2121.28-8ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ41Б2121.28-8ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ42А2121.28-8ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ42Б2121.28-8ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ43А2121.28-8ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ43Б2121.28-8ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ44А2121.28-8ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ44Б2121.28-8ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 650 мВт
К573РФ61А2121.28-6.04ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ61Б2121.28-6.04ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ62А2121.28-6.04ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 300 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ62Б2121.28-6.04ППЗУ с УФ-стиранием 4Кx8; 450 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ63А2121.28-6.04ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ63Б2121.28-6.04ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ64А2121.28-6.04ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 300 нс; +5В; 790 мВт
К573РФ64Б2121.28-6.04ППЗУ с УФ-стиранием 8Кx4; 450 нс; +5В; 790 мВт

См. также

Примечания

    Литература

    • Алишов Н. И., Нестеренко Н. В., Новиков Б. В. и др. Глава 2.3 БИС ЗУ для построения внутренней памяти // Справочник по персональным ЭВМ / Под. ред. чл.-корр. АН УССР Б. Н. Малиновского. К.: «Тэхника», 1990. — 384 с. 45 000 экз. ISBN 5-335-00168-2.
    • Все отечественные микросхемы. — 2-е изд., переработанное и дополненное. — М: Издательский дом «Додэка-XXI», 2004. — 400 с. ISBN 5-94120-034-X.
    • С. В. Якубовский, Н. А. Барканов, Л. И. Ниссельсон и др. Аналоговые и цифровые интегральные микросхемы. Справочное пособие. / под ред. С. В. Якубовского.. — 2-е изд., перераб. и доп.. — М: Радио и связь, 1985. — 432 с. — (Проектирование РЭА на интегральных микросхемах).
    • С. В. Якубовский, Л. И. Ниссельсон, В. И. Кулешова и др. Цифровые и аналоговые интегральные микросхемы: Справочник. / под ред. С. В. Якубовского. — М: Радио и связь, 1990. — 496 с. ISBN 5-256-00259-7.
    • В. В. Баранов, Н. В. Бекин, А. Ю. Гордонов. Полупроводниковые БИС запоминающих устройств. Справочник / под ред. А . Ю. Гордонова и Ю. Н. Дьякова.. — М: Радио и связь, 1987. — 360 с.

    Ссылки

    Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".

    Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.

    Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .




    Текст в блоке "Читать" взят с сайта "Википедия" и доступен по лицензии Creative Commons Attribution-ShareAlike; в отдельных случаях могут действовать дополнительные условия.

    Другой контент может иметь иную лицензию. Перед использованием материалов сайта WikiSort.ru внимательно изучите правила лицензирования конкретных элементов наполнения сайта.

    2019-2024
    WikiSort.ru - проект по пересортировке и дополнению контента Википедии