 | Для улучшения этой статьи желательно: |
Термин Слой обеднения (Обедненный слой) в физике полупроводников характеризует пониженную, по сравнению с равновесной, концентрацию основных носителей на границе двух материалов. Примером могут служить гетерограницы двух полупроводников с разными ширинами запрещённых зон, или граница металл-полупроводник. На границе металл-диэлектрик можно также получить обедненный слой при приложении электрического поля, что является основным физическим принципом работы полевого транзистора.
См. также
 |
Это заготовка статьи по физике. Вы можете помочь проекту, дополнив её. |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .