| Са Чжитан | |
|---|---|
| Дата рождения | 10 ноября 1932 (86 лет) |
| Место рождения | |
| Страна | |
| Место работы | |
| Альма-матер | |
| Известные ученики | Сократис Пантелидис |
| Награды и премии | |
Са Чжитан (англ. Chih-Tang (Tom) Sah, кит. 萨支唐, р. в ноябре 1932, Пекин, Китай) - почётный член отделения Электрической и Компьютерной инженерии Университета Флориды.[2]
Обрел популярность в физике и технике известной моделью Са при рассмотрении стандартных МОП-транзисторов, опубликованной в 1964 году.[3][4] Суть модели Са заключается в упрощении рассмотрения режима "сильной инверсии на поверхности полупроводника, возникающей вследствие эффекта поля и позволяющей получить аналитическое решение для вольт-амперных характеристик (ВАХ) МОП-транзисторов". В свою очередь это позволило осмысленно использовать МОП-транзисторы в технике, бурное развитие которой в 70-е годы привело к разработке СБИС (сверхбольших интегральных схем), которые широко используются даже сегодня при производстве микропроцессоров.
Список наград
- 2004 — Honorary Doctorate, National Chao-Tung University
- 2003 — Distinguished Lifetime Achievement Award, Chinese Institute of Engineers USA
- 2002 — Committee-100 Pioneer Recognition Award
- 2000 — Избран в Китайскую Академию Наук
- 1999 — Academician, Academia Sinica of China in Taiwan
- 1999 — Semiconductor Industry Association University Research Award
- 1998 — University Research Award, U S Semiconductor Industry Association
- 1995 — Fellow, American Association of Advanced of Science
- 1995 — IEEE Life Fellow
- 1994 — Alumni Achievement Award, University of Illinois
- В 1989 — IEEE Jack Morton Award
- 1986 — Избран в Американскую национальную Академию Инженеров
- 1981 — J. J. Ebers Award, IEEE Electron Device Society
- 1975 — Doctoris Honoris Causa, K. U. Leuven
- 1971 — Член Американского Физического Товарищества
- 1969 — Член Американского Института по Электрики и Электронной Инженерии (IEEE)
- 1000 world's Most Cited Scientists, 1865-1978, Институт научной информации
Литература
Сноски
- ↑ Record #123154056 // общий каталог Национальной библиотеки Франции
- ↑ www.ece.ufl.edu/people/faculty/sah.html Архивировано 12 ноября 2007 года.
- ↑ C. T. Sah, IEEE Trans.Electron Devices ED-11, 324 (1964)
- ↑ "Accuracy of Long-Wide Channel Thick-Base MOS Transistor Models", B. B. Jie and Chih-Tang Sah, IEEE Transactions on Electron Devices, vol.54, no.8, Август 2007.
Патенты
- 3,204,160 — Surface Controlled Potential Semiconductor Device, August 1965
- 3,280,391 — High Frequency Transistor, October 1966
- 3,243,669 — Surface Controlled Potential Semiconductor Device, March 1969
- Patent Pending — DCIV Methodology for Rapid Determination of Reliability of Transistors, with A. Neugroschel
- 4,343,962 — Oxide Induced Charge High Low Emitter Junction Solar Cell, with J. G. Fossum, S. C. Pao, F. A. Lindholm, 1982
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .