WikiSort.ru - Не сортированное

Рекомбинация — исчезновение пары свободных носителей противоположного заряда в среде с выделением энергии.

В полупроводниках возможны следующие варианты рекомбинации:

• межзонная — непосредственный переход электронов в валентную зону, существенна в собственных полупроводниках и полупроводниках с узкой запрещённой зоной с минимальным количеством дефектов;
• через промежуточные уровни в запрещённой зоне, существенна в примесных полупроводниках.

В образцах с больши́м значением поверхности на единицу объёма значительно возрастает роль рекомбинации на поверхностных состояниях (поверхностной рекомбинации).

При рекомбинации носителей выделяется энергия, которая передаётся частицам (в том числе квази-). В зависимости от типа частиц-«приёмников» выделяются:

• излучательная рекомбинация — энергия уносится фотонами;
• безызлучательная рекомбинация — энергия передается фононам решетки или другим частицам (Оже-рекомбинация).

Ссылки

• Рекомбинация электронов и дырок в полупроводниках - Большая советская энциклопедия. — М.: Советская энциклопедия. 1969—1978.
• § 13 «Генерация и рекомбинация носителей заряда»
• 11.3. Генерация и рекомбинация в полупроводниках и диэлектриках / В. А. Гуртов, Р. Н. Осауленко. Физика твердого тела для инженеров, 2007
• 2.8. Carrier recombination and generation / Bart Van Zeghbroeck, "Principles of Semiconductor Devices". August 2007  (англ.)
• Lecture 4 - Carrier generation and recombination / Jesús del Alamo, course materials for 6.720J Integrated Microelectronic Devices, Spring 2007. MIT OpenCourseWare  (англ.)

Для улучшения этой статьи желательно: Дополнить статью (статья слишком короткая либо содержит лишь словарное определение). Проставив сноски, внести более точные указания на источники.