| АО «Научно исследовательский институт электронной техники» | |
|---|---|
 | |
| Тип | Акционерное общество |
| Основание | 9 мая 1961 года |
| Прежние названия | Центральное конструкторское бюро при Воронежском заводе полупроводниковых приборов |
| Ключевые фигуры |
Генеральный директор: Кожанов Дмитрий Александрович. |
| Отрасль | Радиоэлектроника |
| Продукция | микроконтроллеры, микропроцессоры, АЦП, ЦАП, процессоры цифровой обработки сигналов, ВЧ и СВЧ транзисторы |
| Число сотрудников | 500 |
| Сайт | niiet.ru |
Научно-исследовательский институт электронной техники (АО «НИИЭТ») — советский и российский институт, созданный приказом от 9 мая 1961 года как «Центральное конструкторское бюро при Воронежском заводе полупроводниковых приборов».
Предприятие специализируется на разработке и производстве сложных изделий микроэлектроники специального и гражданского назначения: микроконтроллеров, микропроцессоров, цифро-аналоговых и аналого-цифровых преобразователей, интерфейсных интегральных микросхем, СВЧ-транзисторов и модулей усиления мощности СВЧ-диапазона .
С 2012 года входит в состав концерна «Созвездие» Объединённой приборостроительной госкорпорации Ростех[1][2].
История
В 1961 году при «Воронежском заводе полупроводниковых приборов» («ВЗПП») было учреждено Центральное конструкторское бюро.
В 1965 году на предприятии были разработаны первые в СССР микросхемы диодно-транзисторной логики.[3]
В 1964 году в ЦКБ при ВЗПП началась активная работа по созданию отечественной интегральной микросхемы. В отделе, занимающимся разработкой планарных транзисторов, была создана группа перспективной (критической) технологии во главе с Никишиным В. И. Целью работы этой группы было создание элементов твердых схем: диодов, транзисторов, резисторов.
В короткие сроки к декабрю 1965 года ученые разработали и получили опытные образцы полупроводниковых интегральных схем «Титан». В 1966 году образцы были переданы на завод в серийное производство. Таким образом, в Воронеже были созданы первые в СССР микросхемы диодно-транзисторной логики по твердотельной технологии с диэлектрической изоляцией компонентов серии 104[4].
В декабре 1969 года «ЦКБ при ВЗПП» вошло в состав НПО «Электроника».
В 1984 году ЦКБ стало самостоятельным предприятием: его переименовали в «Научно-исследовательский институт электронной техники»[3]. В конце 80-х «НИИЭТ» был головным институтом по разработке цифровых сигнальных процессоров.
В конце 2012 года предприятие вошло в интегрированную структуру Концерна «Созвездие», передав предприятию 99,99 % своих акций в уставном капитале.
Основные виды деятельности
- разработка и производство интегральных микросхем (в т.ч. устойчивых к воздействию спецфакторов);
- разработка и производство ВЧ и СВЧ-транзисторов, модулей усиления мощности СВЧ-диапазона;
- испытание, измерение и сертифицирование отечественных и импортных электронных компонентов.
Продукция
- 8,16,32- разрядные микроконтроллеры;
- 16,32- разрядные процессоры цифровой обработки сигналов;
- цифро-аналоговые преобразователи;
- аналого-цифровые преобразователи;
- интерфейсные интегральные микросхемы;
- ВЧ и СВЧ-транзисторы диапазона частот 0-12000 МГц с выходной мощностью от 0,5 до 800 Вт непрерывного и импульсного режимов работы;
- модули СВЧ-усилителей мощности с выходной мощностью от 5 до 2000 Вт.
Сводные характеристики производимых изделий
1. Микроконтроллеры (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов):
Разрядность: 8,16,32- разрядные;
Тактовая частота: от 8 до 200 МГц;
Напряжение питания: 1,2В; 1,8В; 3,3В; 5В;
Архитектуры: MCS 51 (Intel), ARM (ARM Limited), AVR-RISC (Atmel), MCS-96, С-166/167, RISC (32 бит), CISC+RISC MCS-96 (32 бит) и др.
2. Процессоры цифровой обработки сигналов (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов):
Разрядность: 16,32- разрядные;
Тактовая частота: от 12 до 200 МГц;
Напряжение питания: 1,2В; 1,8В; 3,3В; 5В;
Архитектуры: С-25(16 бит), С-50(16 бит), С-54(16 бит), F-240(16 бит), C-30(32 бит), C-40(32 бит), Sparc LEON(32 бит).
3. Аналого-цифровые преобразователи: 16- разрядные.
4. Цифро-аналоговые преобразователи (в т.ч. с повышенной стойкостью к воздействию спецфакторов): 8-24- разрядные.
5. ВЧ и СВЧ-транзисторы
Диапазон частот: от 0 до 12 ГГц;
Выходная мощность 0,5-1000Вт.
Типы:
- Биполярные транзисторы (Bipolar);
- Полевые транзисторы (FET, MOSFET);
- Полевые транзисторы с распределенным затвором (LDMOS);
- Нитрид-галлиевые транзисторы (GaN).
6. СВЧ-модули
Диапазон частот: от 0,15 до 3,1 ГГц;
Выходная мощность: от 0,5 от 2000Вт.
См. также
Примечания
- ↑ Расширяемое «Созвездие». Концерну передают новые активы // Коммерсант.ru
- ↑ В составе Концерна «Созвездие» теперь работают 20 предприятий // sozvezdie.su
- 1 2 Воронежский завод полупроводниковых приборов. Время. Традиции. Люди. — Воронеж: Центр духовного возрождения Черноземного края, 2013
- ↑ Петров Л., Удовик А. Кто изобрёл… интегральную схему? // Электронные компоненты. 2013. № 8. С. 10-11. (недоступная ссылка)
Литература
- Воронежский завод полупроводниковых приборов. Время. Традиции. Люди. — Воронеж: Центр духовного возрождения Черноземного края, 2013.
- Петров Л., Удовик А. Кто изобрёл… интегральную схему? // Электронные компоненты. 2013. № 8. С. 10-11.
Ссылки
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .