WikiSort.ru - Не сортированное

ЭКВ (EKV MOSFET model) — математическая модель МОП-транзистора (MOSFET), предназначенная для использования в программах схемотехнического моделирования и проектирования аналоговых интегральных схем.^[1]

Модель была разработана К. Энцем, Ф. Круменахером и Е. А. Виттосом (название модели составлено из первых букв фамилий авторов) в 1995 году, однако основа модели была заложена в 1980-х годах.^[2] В отличие от моделей с квадратичным уравнением (Quadratic Model), модель ЭКВ отличается точностью также в подпороговой области работы МОП-транзистора (например, если V_bulk=V_source тогда МОП-транзистор находится в подпорговой области V_gate-source < V_Threshold).

Кроме того, модель ЭКВ содержит много дополнительных специализированных эффектов, которые важны при проектировании микро- и субмикронных КМОП-интегральных схем.

См. также

• Transistor model^[en]
• MOSFET
• Ngspice
• SPICE
• BSIM4

Примечания

Ссылки

• EKV COMPACT MOSFET MODEL - страница модели на сайте EPFL  (англ.)
• Chrustian Enz - личная страница на сайте EPFL
• François Krummenacher - личная страница на сайте EPFL
• IEEE Donald O. Pederson Award in Solid-State Circuits Recipients, 2004 (Vittoz recognized for pioneering contributions to low-power device modeling and CMOS circuit design, IEEE Solid-State Circuits Society Newsletter. Volume: 8, Issue: 4, Oct. 2003 pp 1-4) (англ.)

• A Basic Property of MOS Transistors and its Circuit Implications, WCM-MSM 2003 (англ.)