| Учреждение Российской академии наук Институт сильноточной электроники Сибирского отделения РАН (ИСЭ СО РАН) | |
|---|---|
| Основан | 1977 |
| Директор | Николай Александрович Ратахин, профессор[1] |
| Сотрудников | 130[2] |
| Расположение |
 |
| Юридический адрес | 634055, Томск, пр. Академический, 2/3 |
| Сайт | hcei.tsc.ru |
Институт сильноточной электроники СО РАН — один из институтов Томского научного центра Сибирского отделения Российской академии наук. Расположен в Томском академгородке.
Общие сведения
Основными направлениями научной деятельности института являются разработка приборов сильноточной электроники, проблемы физической электроники, устройств и технологий, а также физика низкотемпературной плазмы и основы её применения в технологических процессах и другие современные проблемы физики плазмы[3].
Разработки
В 1977 г. в НИИ были созданы мощные компактные генераторы линейно поляризованных однонаправленных пучков сверхширокополосного электромагнитного излучения с наносекундной и субнаносекундной длительностью импульса. Разработка была осуществлена в рамках исследования действия сверхмощных гига- и тераваттных электрических импульсов на электронную аппаратуру[4].
История
Институт был создан в 1977 году в Томском академгородке[2].
Директора
Институт возглавляли[2]:
- 1977—1986 — академик РАН Месяц, Геннадий Андреевич
- 1986—2002 — академик РАН Бугаев, Сергей Петрович.
- 2002—2006 — академик РАН Коровин, Сергей Дмитриевич.
- с 2006 — академик РАН Николай Александрович Ратахин.
Структура
- Отдел импульсной техники — заведующий лабораторией и затем отделом по настоящее время доктор технических наук, академик РАН Ковальчук, Борис Михайлович[5]
- Отдел высоких плотностей энергии (основатель и первый руководитель лаборатории и отдела Лучинский, Андрей Владимирович[6])
- Отдел физической электроники
- Лаборатория плазменной эмиссионной электроники (заведующие: П. М. Щанин, до мая 2001 года, а затем Н. Н. Коваль)[7]
- Лаборатория высокочастотной электроники (с 1977 по 1986 год руководил академик С. П. Бугаев, а затем доктор физматнаук В. И. Кошелев)[8]
- Лаборатория вакуумной электроники
- Лаборатория газовых лазеров
- Лаборатория оптических излучений
- Лаборатория низкотемпературной плазмы
- Лаборатория прикладной электроники
- Лаборатория теоретической физики
- Лаборатория плазменных источников
- Конструкторско-технологический отдел
- Группа автоматизации научных исследований
Дирекция
- Директор — Ратахин, Николай Александрович, академик РАН, профессор, доктор физико-математических наук[1][9]
- Зам. директора по научной работе:
- Турчановский Игорь Юрьевич, кандидат физико-математических наук
- Коваль Николай Николаевич, доктор технических наук
- Научный руководитель
- Месяц, Геннадий Андреевич, академик РАН, профессор
См. также
Примечания
- 1 2 Руководство ИСЭ СО РАН
- 1 2 3 http://www.hcei.tsc.ru/ru/cat/history/history.html История Института сильноточной электроники СО РАН]
- ↑ Основные направления научной деятельности Института сильноточной электроники СО РАН
- ↑ Гуревич В. И. «Микропроцессорные реле защиты. Устройства. Проблемы. Перспективы.» «Инфра-Инженерия», 2011 г.
- ↑ Отдел импульсной техники
- ↑ Отдел ВПЭ
- ↑ Лаборатория плазменной эмиссионной электроники
- ↑ Лаборатория высокочастотной электроники
- ↑ Дирекция ИСЭ СО РАН
Ссылки
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .