| Антон Юрьевич Егоров | |
|---|---|
| Дата рождения | 8 мая 1964 (54 года) |
| Место рождения | Ленинград |
| Страна |
  |
| Научная сфера | физика полупроводников |
| Место работы |
Физико-технический институт имени А. Ф. Иоффе РАН, Санкт-Петербургский академический университет — научно-образовательный центр нанотехнологий РАН |
| Альма-матер | ЛЭТИ |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук (2011) |
| Учёное звание | член-корреспондент РАН (2011) |
Антон Юрьевич Егоров (род. 8 мая 1964 года) — российский физик, специалист в области физики и технологии наногетероструктур полупроводниковых твердых растворов, приборов оптоэлектроники и микроэлектроники на их основе, член-корреспондент РАН (2011).
Биография
Родился 8 мая 1964 года в Ленинграде.
В 1981 году — окончил физико-математический лицей № 239.
В 1986 году — окончил Ленинградский электротехнический институт.
В 2011 году — защитил докторскую диссертацию, тема: «Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N — новый материал оптоэлектроники»[2]
Работает в Физико-техническом институте имени А. Ф. Иоффе РАН.
Заместитель руководителя Центра нанотехнологий Санкт-Петербургского академического университета — научно-образовательного центра нанотехнологий РАН.
В 2011 году — избран членом-корреспондентом РАН.
Научная деятельность
 | Этот раздел должен быть полностью переписан. |
Работы связаны с экспериментальными исследованиями физических свойств новых полупроводниковых материалов, азотсодержащих твердых растворов GaAsN, InGaAsN, GaPN, GaAsPN, и композитных структур на их основе (гетероструктур), а также происходящих в них физических явлений, разработкой и исследованием технологических процессов получения этих полупроводниковых материалов и композитных структур на их основе, созданием и исследованием оригинальных полупроводниковых приборов, инжекционных лазеров на их основе.
Разработал технологию синтеза азотсодержащих полупроводниковых твердых растворов A3B5-N, позволяющая воспроизводимо получать слои и гетероструктуры нового материала с заданными физическими свойствами высокого структурного совершенства и управлять их химическим составом; разработал физические принципы работы и впервые создал высокоэффективные полосковые и вертикально-излучающие лазеры на базе гетероструктур азотосодержащих полупроводниковых твердых растворов для систем оптической передачи информации; разработал промышленную технологию полупроводниковых гетероструктур для новых изделий микроэлектроники специального и двойного применения, предназначенных для решения широкого круга экономических и оборонных задач РФ.
Примечания
- 1 2 Егоров Антон Юрьевич (Объединение учителей Санкт-Петербурга). eduspb.com. Проверено 20 сентября 2017.
- ↑ Диссертация на тему «Азотсодержащие полупроводниковые твердые растворы AIIIBV-N - новый материал оптоэлектроники», автореферат. dissercat.com. Проверено 20 сентября 2017.
Ссылки
- Егоров, Антон Юрьевич на официальном сайте РАН
- Егоров, Антон Юрьевич на математическом портале Math-Net.Ru
- Егоров Антон Юрьевич (Мегаэнциклопедия Кирилла и Мефодия). megabook.ru. Проверено 20 сентября 2017.
- Антон Юрьевич Егоров. Список публикаций. research.ifmo.ru. Проверено 20 сентября 2017.
- Алферовский центр стал участником уникальной союзной программы — Российская газета. rg.ru. Проверено 20 сентября 2017.
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .