WikiSort.ru - Не сортированное

Физические свойства и использование

Антимонид индия имеет вид темно-серого серебристого металла или порошка со стекловидным блеском. Плавится при температурах свыше 500 °C, при этом сурьма в виде пара и её оксиды (при разложении InSb на воздухе) улетучиваются. Кристаллическая структура типа цинковой обманки, с постоянной кристаллической решётки 0,648 нм.

Нелегированный антимонид индия обладает самой высокой подвижностью электронов (около 78 000 см²/(В·с)), а также имеет самую большую длину свободного пробега электронов (до 0,7 мкм при 300 K) среди всех известных полупроводниковых материалов, за исключением, возможно, углеродных материалов (графен, углеродные нанотрубки).

Антимонид индия используется в инфракрасных фотодетекторах. Обладает высокой квантовой эффективностью (порядка 80-90 %). Недостатком является высокая нестабильность: характеристики детектора, как правило, дрейфуют во времени. Из-за этой неустойчивости, детекторы редко используются в метрологии. Из-за узости запрещенной зоны, детекторы, в которых, в качестве полупроводникового материала применяется антимонид индия, требуют глубокое охлаждение, так как они могут работать только при криогенных температурах (как правило, 77 K — температура кипения азота при атмосферном давлении). Созданы фотоприемные матрицы с достаточно высоким разрешением (до 2048x2048 пикселей). Вместо антимонида индия в фотоприемниках могут быть использованы HgCdTe и PtSi.

Тонкий слой InSb между двумя слоями антимонида алюминия-индия проявляет свойства квантовой ямы. Такие слоистые структуры используются для создания быстродействующих транзисторов, работающих в СВЧ-диапазоне волн вплоть до миллиметрового. Биполярные транзисторы, работающие на частотах до 85 ГГц были созданы из антимонида индия в конце 1990-х. Полевые транзисторы, работающие на частотах более чем в 200 ГГц появились недавно (Intel/QinetiQ). Недостаток таких транзисторов — необходимость глубокого охлаждения, как и для всех приборов на основе InSb. Полупроводниковые приборы из антимонида индия также способны работать при напряжении питания менее 0,5 В, это позволяет снизить энергопотребление электронных устройств.

Выращивание монокристаллов

Крупные совершенные кристаллы InSb могут быть выращены путём отверждения расплава по методу Чохральского в атмосфере инертного газа (Ar, He, N₂) или водорода при пониженном давлении (примерно 50 кПа). Также, путём жидкофазной эпитаксии, эпитаксии по методу горячей стенки, молекулярно-пучковой эпитаксии. Они также может быть выращены при разложении металлоорганических соединений индия и сурьмы методом ОМСИГФ.

Синтез

InSb получают сплавлением индия с сурьмой в кварцевом контейнере в вакууме (~0,1 Па) при 800—850 °C. Очищают зонной плавкой в атмосфере водорода.