Charge Trap Flash (CTF, память с ловушкой заряда) — технология компьютерной флеш-памяти, известная с 1967 года и используемая для создания NOR и NAND накопителей с 2002 и 2008 годов, соответственно. Она отличается от широко использовавшейся до 2010 года технологии флеш-памяти на MOSFET-транзисторах с плавающим затвором тем, что использует для хранения электронов пленку нитрида кремния, а не поликремний с допирующими элементами. За счет перехода на CTF производители памяти смогли снизить стоимость производства за счет:
- меньшего количества технологических этапов для формирования ячейки
- возможности использования более тонких технологических процессов (30, 20 нм и немного меньше)
- упрощения хранения нескольких бит в одной ячейке (например, MLC — хранение 2 бит в виде 4 возможных уровней заряда)
- повышения надежности
- более высокого выхода годных, поскольку технология меньше подвержена точечным дефектам в туннельном слое оксида.
Производство флеш-памяти на основе CTF было освоено AMD в партнерстве с Fujitsu ещё в 2002 году (семейство флеш-памяти GL NOR, ныне принадлежит компании Spansion). В 2008 году CTF память составляла около 30 % от рынка NOR памяти, общим объёмом в 2,5 млрд долларов США.
Многие производители NAND флеш-памяти перешли с плавающих затворов на CTF в 2008—2010 годах, когда техпроцесс стал приближаться к 20 нм[1].
Во всех вариантах трехмерной компоновки ячеек флеш-памяти (3D NAND), включая V-NAND (Samsung), применяется CTF[2][3]
См. также
Примечания
- ↑ Edward Grochowski, Robert E.Fontana, Future Technology Challenges For NAND Flash and HDD Products // Flash Memory Summit, 2012 (англ.): slide 6 «Projected NAND Flash Memory Circuit Density Roadmap»
- ↑ Technology Roadmap for NAND Flash Memory. techinsights (April 2013). Проверено 9 января 2015. Архивировано 9 января 2015 года.
- ↑ Technology Roadmap for NAND Flash Memory. techinsights (April 2014). Проверено 9 января 2015. Архивировано 9 января 2015 года.
Ссылки
- Компания Samsung представила карты памяти ёмкостью 16, 32 и 64 ГБ
- BE-SONOS: технология Macronix для простого производства 45-нм флэш-памяти (недоступная ссылка)
- Advancement in Charge Trap Flash Memory Technology Saied Tehrani (Spansion CTO) // Flash Memory Summit, August 13, 2013 (англ.)
- Charge-Trapping (CT) Flash and 3D NAND Flash // Hang-Ting Lue, 3rd Annual SEMATECH Symposium Tawian, Sep 9, 2010
 |
Это заготовка статьи о компьютерах. Вы можете помочь проекту, дополнив её. Это примечание по возможности следует заменить более точным. |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .