Фосфид индия | |
---|---|
| |
| |
Общие | |
Хим. формула | InP |
Физические свойства | |
Молярная масса | 145.79 г/моль |
Плотность | 4.81 г/см³ |
Термические свойства | |
Т. плав. | 1062 °C |
Структура | |
Кристаллическая структура | кубическая, структура сфалерита |
Классификация | |
Рег. номер CAS | 22398-80-7 |
PubChem | 31170 |
Рег. номер EINECS | 244-959-5 |
SMILES | |
InChI | |
ChemSpider | 28914 и 22199222 |
Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иного. |
Фосфид индия (InP) — химическое соединение индия и фосфора. Важный прямозонный полупроводник с шириной запрещенной зоны 1.34 эВ при 300 K. Используется для создания сверхвысокочастотных транзисторов, диодов Ганна. Твердые растворы на основе InP используются для создания светодиодов, лазерных диодов, лавинных фотодиодов. По высокочастотным свойствам превосходит арсенид галлия.
Это заготовка статьи по химии. Вы можете помочь проекту, дополнив её. |
В этой статье не хватает ссылок на источники информации. |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .