Вайсбурд Давид Израйлевич | |
---|---|
![]() | |
Дата рождения | 23 декабря 1937 |
Место рождения |
Киев, Украинская ССР, СССР |
Дата смерти | 11 апреля 2007 (69 лет) |
Место смерти | Израиль |
Страна |
![]() ![]() |
Место работы | ТПИ/ТПУ |
Альма-матер | Томский политехнический университет |
Учёная степень | доктор физико-математических наук |
Учёное звание | профессор |
Награды и премии |
Давид Израйлевич (Израилевич) Вайсбурд (1937—2007) — советский и российский учёный, доктор физико-математических наук, профессор.
Автор более 150 трудов, 13 авторских свидетельств и 1 патента.[1]
Родился 23 декабря 1937 года в Киеве.
В 1955 году окончил киевскую среднюю школу № 96 с серебряной медалью. Поступил в Киевский политехнический институт; затем перевелся в Томский политехнический институт (ТПИ, ныне Томский политехнический университет) на радиотехнический факультет и со второго курса стал учиться по специальности «Диэлектрики и полупроводники». Будучи студентом третьего курса, начал заниматься научно-исследовательской работой в проблемной лаборатории электроники диэлектриков и полупроводников под руководством профессоров А. А. Воробьёва и И. Я. Мелик-Гайказян.[2]
После окончания института, в 1961 году, Вайсбурд был зачислен ассистентом кафедры «Экспериментальной физики» (ныне кафедра «Теоретической и экспериментальной физики»), где прошел последующий период своей научной и педагогической деятельности. В 1961—1964 годах также под руководством Мелик–Гайказян и Воробьёва обучался в аспирантуре. В 1965 году защитил кандидатскую диссертацию на тему «Кинетика накопления электронных центров в щелочно-галоидных кристаллах под действием протонов» (защита прошла в Совете при президиуме Узбекской Академии наук). В 1969—1970 годах организовал при кафедре научную лабораторию (ныне – научно-исследовательская лаборатория нелинейной физики). В 1984 году защитил докторскую диссертацию на тему «Свойства ионных кристаллов при высоких уровнях ионизации»[3] (в объединенном совете Института общей физики Академии наук СССР и Физического института им. П.Н. Лебедева АН СССР в Москве). В 1985 году Давид Вайсбурд был утвержден в ученой степени доктора физико-математических наук, а в 1987 году получил звание профессора.[2]
В обширной научной деятельности учёного важное место заняло конструирование изготовление и запуск в работу первой в Томске установки ядерного магнитного резонанса. Параллельно он выполнил первые в мировой науке эксперименты по кинетике накопления простых и сложных электронных центров в щелочно-галоидных кристаллах под действием протонов и альфа-частиц. Эксперименты проводились на циклотроне НИИ ядерной физики при ТПИ. Впервые Вайсбурд обнаружил сильное влияние трековых эффектов на превращение простых дефектов в сложные, построил теорию и определил параметры треков протонов и альфа-частиц в щелочно-галоидных кристаллах.[2]
Педагогическая деятельность Д. И. Вайсбурда охватывала студентов всех технических факультетов ТПИ и различные курсы физики: общая физика, теоретическая физика, теория поля, физика твердого тела, статистическая физика, атомная физика. Он поставил в вузе курс атомной физики и в течение 25 лет читал этот курс студентам физико-технического факультета. По его проекту и непосредственном участии в институте была создана и действует учебная лаборатория атомной физики. Воспитал 37 кандидатов наук, четверо из которых стали докторами наук. Был членом докторского диссертационного совета ТПУ.[1]
Умер от рака 11 апреля 2007 года в Израиле.[1]
Был награждён медалями, в числе которых «За доблестный труд. В ознаменование 100-летия со дня рождения В.И. Ленина» (1970); был удостоен почетного звания «Заслуженный работник высшей школы Российской Федерации» (2000).
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .