WikiSort.ru - Не сортированное

Необходимо перенести содержимое этой статьи в статью Оже-спектроскопия и заменить эту статью на перенаправление. Вы можете помочь проекту, объединив статьи. В случае необходимости обсуждения целесообразности объединения, замените этот шаблон на шаблон {{К объединению}} и добавьте соответствующую запись на странице Википедия:К объединению. Пожалуйста, также проверьте историю правок.

В этой статье не хватает ссылок на источники информации. Информация должна быть проверяема, иначе она может быть поставлена под сомнение и удалена. Вы можете отредактировать эту статью, добавив ссылки на авторитетные источники. Эта отметка установлена 21 июня 2018 года.

Оже-спектроскопия (ЭОС) — общий аналитический метод, используемый, в частности, в исследовании поверхности и, в области материаловедения. В основе спектроскопического метода лежит эффект Оже, который основан на анализе заполнения электроном вакансии, образованной на одной из внутренних электронных оболочек атома путём «выбивания» другого электрона рентгеновским излучением. Оже-эффект был открыт независимо друг от друга Лизой Мейтнер (1923) и Пьером Оже (1925) годах. Хотя открытие было сделано Мейтнер, о чём первоначально сообщалось в журнале Zeitschrift für Physik в 1922 году, большая часть научного сообщества приписывает открытие именно Оже. [1] До начала 1950-х годов Оже-переходы рассматривались как неприятные эффекты спектроскопии, не содержащие информации, но учитывалось, что они объясняют аномалии в рентгеновских данных спектроскопии. Однако, начиная с 1953 года, ЭОС стала практичной и простой характеристикой для исследования в химическом анализе и анализе композиционных сред. ЭОС находит применение в металлургии, в газовой химии, и всей микроэлектронной промышленности. [2] [3] [4] [5]

Электронные переходы и эффект Оже

При «выбивании» излучением на внутренней электронной оболочке образуется вакансия. Такое состояние неустойчиво и электронная подсистема стремится минимизировать энергию за счёт заполнения вакансии электроном с одного из вышележащих уровней энергии атома. Выделяющаяся при переходе на нижележащий уровень энергия может быть испущена в виде кванта характеристического рентгеновского излучения, либо передана третьему электрону, который вынужденно покидает атом. Первый процесс более вероятен при энергии связи электрона, превышающей 1 кэВ, второй — для лёгких атомов и энергии связи электрона, не превышающей 1 кэВ. [2] [3] [4] [5] [6] [7] Испускаемые электроны будут иметь кинетическую энергию:

${\displaystyle E_{kin}=E_{\text{Core State}}-E_{B}-E_{C}'}$

где ${\displaystyle E_{\text{Core State}}}$ , ${\displaystyle E_{B}}$ , ${\displaystyle E_{C}'}$  — соответственно энергия базового уровня, энергия первой внешней электронной оболочки, и второй внешней электронной оболочки.

Апостроф ${\displaystyle E_{C}'}$ обозначает небольшое изменение энергии связи внешних электронов оболочки из-за ионизированной природы атома. Однако часто эта энергия модификации игнорируется для того, чтобы облегчить расчёты. [3] Орбитальные энергии являются уникальными свойствами атомов определенного элемента. Анализ выбитых электронов даёт информацию о химическом составе поверхности. На рисунке 1 показаны две схемы Оже-процесса.

Экспериментальная установка и количественный анализ

Использование и ограничения

Ссылки

https://en.wikipedia.org/wiki/Auger_electron_spectroscopy

Дополнительная литература