| Владимир Исмаил оглы Таиров | |
|---|---|
| Vladimir İsmayıl oğlu Tahirov | |
 | |
| Дата рождения | 5 апреля 1932 |
| Место рождения | село Уруд, Сисианский район, Армянская ССР |
| Дата смерти | 2014 |
| Страна | Азербайджан |
| Научная сфера | Физика |
| Место работы | Азербайджанский государственный университет |
| Альма-матер | Азербайджанский Государственный Университет |
| Учёная степень | доктор физико-математических наук |
Владимир Исмаил оглы Таиров (азерб. Vladimir İsmayıl oğlu Tahirov) — азербайджанский учёный, доктор физико-математических наук, профессор кафедры физики полупроводников физического факультета Бакинского государственного университета, член-корреспондент НАНА.
Биография
Владимир Таиров родился 5 апреля 1932 года в селе Уруд Сисианского района Армянской ССР. В 1949 году окончил среднюю школу. В 1951 году окончил двухлетний физико-математический факультет Агдамского педагогического института. В 1956 году окончил отделение физики физико-математического факультета Азербайджанского государственного факультета. В 1962 году защитил кандидатскую диссертацию по теме «Исследование сегрегации, диффузии и растворимости таллия и тантала в монокристаллах германия». В 1972 году защитил диссертацию на соискание ученой степени доктора физико-математических наук по теме «Исследование примесных состояний и донорно-акцепторного взаимодействия в твердых растворах германий-кремний».
Научная деятельность
Владимир Таиров исследовал фундаментальные свойства большого числа полупроводников (Ge, Ge-Si, Te, GaSb, BiSb, Te-Se, соединения типа A3B5 и др.) Занимался разработкой новых полупроводниковых соединений, обладающих широким спектром интересных физических свойств. Им изобретен новый класс тройных полупроводниковых соединений типа A3IB5IIIC9VI, включающих в себя более 45 соединений. Владимир Таиров разработал новый метод получения однородных монокристаллов твердых растворов, обладающих сильной сегрегацией. Им также разработан новый метод получения монокристаллов перитектических соединений с летучими компонентами, новый метод определения глубины залегания примесей, новый экспрессный метод определения теплоемкости твердых тел.
Некоторые научные работы
- «Полупроводниковые твердые растворы Ge-Si», «Элм», Баку, 1983, 208 стр.
- «Новый класс тройных полупроводниковых соединений типа A3IB5IIIC9VI», БГУ, Баку, 2001, 304 стр.
- «Об определении глубины залегания примесных уровней в полупроводниках», ФТП, 4, № 11, стр. 2182—2184, 1970.
- «О механизме образования дефектов в антимониде галлия при кристаллизации и взаимодействии с паровой фазой», «Электронная техника», серия 14, № 7, стр. 93-96, 1971.
- «Инфракрасные спектры отражения слоистых монокристаллов Cu3Ju5S9», Phys. Stat. Solidi, 144, № 1, K73-K76, 1987.
Источники
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .