Эта статья или раздел нуждается в переработке. |
Время восстановления обратного сопротивления базы диода — это переходный процесс, возникающий при переключении диода из проводящего состояния (прямого) в закрытое.
Процесс обратного восстановления (ОВ) в большей степени характерен диодам на p-n переходе, в отличие от диодов Шоттки. Процесс обратного восстановления сопротивления возникает вследствие накопления неосновных носителей в обеих областях диода — базе и эмиттере при прямом протекании тока через диод (плюс приложен к аноду (p-область), минус к катоду (n-область)). В базе (катоде, n-область) накапливаются дырки, в эмиттере (аноде, p-область) накапливаются электроны. После смены полярности напряжения на обратное (плюс на катоде, минус на аноде), накопленные неосновные носители в областях диода начинают двигаться навстречу, создавая короткий импульс (выброс) обратного тока. Короткий импульс тока образуется вследствие малого количества накопленных неосновных носителей (зависит от паразитной ёмкости перехода и силы протекавшего тока).
Теоретически у диода Шоттки (ДШ, переход металл-полупроводник, омический контакт — выпрямляющий контакт) время ОВ равно нулю, так как неосновные носители, накапливаемые в базе (катоде) диода не могут существовать, поскольку в металле (базе ДШ) существуют только основные носители — электроны.
Для улучшения этой статьи желательно: |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .