WikiSort.ru - Не сортированное

В этой статье не хватает ссылок на источники информации. Информация должна быть проверяема, иначе она может быть поставлена под сомнение и удалена. Вы можете отредактировать эту статью, добавив ссылки на авторитетные источники. Эта отметка установлена 21 февраля 2017 года.

Гомоэпитаксия (автоэпитаксия) — процесс ориентированного нарастания вещества, не отличающегося по химическому составу от вещества подложки. Пример: получение кремниевых и германиевых n⁺-n и p⁺-p в технологии полупроводниковых материалов и интегральных схем. Особенностью гомоэпитаксии является то, что кристаллические решетки подложки и растущего слоя практически не различаются между собой (имеется лишь небольшое различие периодов решетки, обусловленное различными концентрациями легирующего элемента). Это дает возможность получать эпитаксиальные слои с очень низкой плотностью дислокаций и других структурных дефектов.

См. также

• Молекулярно-пучковая эпитаксия
• Газофазная эпитаксия
• Жидкофазная эпитаксия
• Гетероэпитаксия

Это заготовка статьи по физике. Вы можете помочь проекту, дополнив её.