Гидроксид тетраметиламмония | |
---|---|
![]() | |
Общие | |
Систематическое наименование |
Тетраметиловый гидроксид аммония |
Сокращения | TMAH, TMAOH |
Хим. формула | (CH3)4NOH |
Классификация | |
Рег. номер CAS | 75-59-2 |
PubChem | 60966 |
Рег. номер EINECS | 200-882-9 |
SMILES | |
InChI | |
ChemSpider | 54928 |
Приводятся данные для стандартных условий (25 °C, 100 кПа), если не указано иного. |
Гидрокси́д тетраметиламмо́ния (TMAH, TMAOH — от англ. tetramethylammonium hydroxide) это четвертичное аммонийное соединение с молекулярной формулой (CH3)4NOH. Он используется как анизотропный травитель для кремния. Также используется как основной растворитель при производстве кислотного фоторезиста в процессе фотолитографии. Поскольку он является катализатором фазового перехода, он очень эффективен для удаления фоторезиста. Также используется как поверхностно-активное вещество при синтезе ферромагнитных жидкостей, чтобы препятствовать слипанию её частиц.
Раствор TMAH является сильным основанием. Ионы тетраметиламмония могут повреждать нервы и мышцы, приводя к затруднению дыхания и, возможно, смерти вскоре после контакта даже с небольшим количеством вещества.[источник не указан 3057 дней] Чистый TMAH практически не имеет запаха, загрязненный триметиламином (который применяется в производстве четвертичных аммониевых солей) имеет запах мертвой рыбы.
TMAH относится к семейству растворов четвертичных гидроксидов аммония и широко используется для анизотропного травления кремния. Типичная температура травления 70°-90 °C, типичная концентрация 5 %-25 % TMAH по массе в водном растворе. Скорость травления кремния увеличивается с ростом температуры и падает с ростом концентрации TMAH. Грубость травления кремниевой поверхности увеличивается с ростом концентрации TMAH, при концентрации 20 % получается гладкая поверхность травления.
Распространенные материалы для масок при длительном травлении в TMAH включают в себя диоксид кремния (химически осаждённый из газовой фазы при пониженном давлении ) и нитрид кремния. Нитрид кремния имеет незначительную скорость травления в TMAH; скорость травления в TMAH для диоксида кремния зависит от качества пленки, но в целом имеет порядок 0.1 нм/минуту.
В этой статье не хватает ссылок на источники информации. |
![]() |
Это заготовка статьи об органическом веществе. Вы можете помочь проекту, дополнив её. |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .