Ярославский филиал Физико-технологического института РАН (ЯФ ФТИАН). Главная цель — проведение фундаментальных и прикладных исследований в области элементной и технологической базы микро- и наноэлектроники и микросистемной техники.[1]
Общая численность сотрудников — 105 человек: научных сотрудников 43, в том числе 7 докторов наук, 21 кандидат наук. Средний возраст сотрудников — 45 лет.[1]
Директор филиала — доктор физико-математических наук профессор А. С. Рудый.[1]
В 1984 году в Ярославле был создан Институт микроэлектроники АН СССР (ИМ АН СССР), директор-организатор — академик К. А. Валиев. Было выделено здание на улице Красноборской, дом 3 (ныне корпус Б). В 1989 году построено второе здание на улице Университетской, дом 21 (ныне корпус А).[1]
В 1999 году ИМ РАН был преобразован в Институт микроэлектроники и информатики (ИМИ РАН), а в 2006 году учреждение стало филиалом Физико-технологического института РАН.[1]
С 1984 года в институте подготовлено 30 кандидатов и 9 докторов наук. Сотрудники опубликовали более 600 работ, из них около 300 статей в рецензируемых изданиях, получено 25 патентов.[1]
![]() |
Это заготовка статьи о нанотехнологиях. Вы можете помочь проекту, дополнив её. |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .