Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия — является эпитаксиальным методом для выращивания кристаллов с помощью хлоридов металлов, поступающих в реактор в газовой фазе.
Метод получил широкое распространение в промышленном производстве полупроводников AlN, GaN, GaAs, InP благодаря высокой скорости роста по сравнению с молекулярно-пучковой эпитаксией, МОС-гидридной эпитаксией.[1]
Конструкция ХГФЭ реактора схожа с установкой МОС-гидридной эпитаксии, однако, в последней, в соответствии с названием, исходный газ является органическими молекулами, содержащими целевой металл.
Отдельные особенности и перспективные направления ХГФЭ изучаются учеными разных университетов.[2]
Примечания
- ↑ Вороненков Владислав Валерьевич. Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико–математических наук "Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия". — Санкт–Петербург, 2015. — 175 с.
- ↑ http://journals.ioffe.ru/articles/viewPDF/41055
 |
Это заготовка статьи о технологическом или производственном процессе. Вы можете помочь проекту, дополнив её. |
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .