Константин Константинович Свиташев | |
---|---|
![]() С сыном Сергеем | |
Дата рождения | 3 августа 1936 |
Место рождения | Ленинград |
Дата смерти | 11 февраля 1999 (62 года) |
Место смерти | Новосибирск |
Страна |
![]() ![]() |
Альма-матер | |
Учёная степень | доктор физико-математических наук |
Учёное звание | член-корреспондент АН СССР |
Награды и премии |
![]() |
![]() |
Константин Константинович Свиташев (3 августа 1936 года, Ленинград — 11 февраля 1999 года, Новосибирск) — советский учёный-физик, член-корреспондент АН СССР (1987)
Во время Великой Отечественной войны семилетним ребёнком был эвакуирован из блокадного Ленинграда в Новосибирск, где пошёл в школу, а затем жил и учился до окончания школы-десятилетки.
Окончил физический факультет Ленинградского университета (1959), три года работал в Государственном оптическом институте им. С. И. Вавилова, а затем вернулся в Новосибирск (1962).
С 1962 года работал в Институте физики полупроводников СО АН СССР, аспирант, младший научный сотрудник, кандидат физико-математических наук (1966)[1], старший научный сотрудник, заведующий лабораторией, с 1976 года — заместитель директора. Доктор физико-математических наук (1977)[2].
С 1980 года — в Специальном конструкторско-технологическом бюро специальной электроники и аналитического приборостроения СО АН СССР, руководитель организации.
В 1990 году возглавил Институт физики полупроводников и руководил им по 1998 год.
С 1991 года заместитель председателя Сибирского отделения Российской Академии наук.
Скончался после продолжительной тяжелой болезни[3].
Фундаментальные результаты в области микрофотоэлектроники, электронных и физико-химических процессов на поверхности и границах раздела полупроводниковых структур, в теории и практики исследования свойств поверхности твердых тел и контроля технологических процессов в производстве полупроводниковых приборов.
Руководил разработкой ряда приборов — эллипсометров для контроля и измерения оптических свойств тонких пленок с точностью до одного монослоя, значительно развил теорию эллипсометрии.
Похоронен на Южном кладбище в Новосибирске, памятник на могиле выполнен архитектором А. Кондратьевым в творческом содружестве с вдовой К. Свиташева — С. Свиташевой[4]. Верхний срез массивной стелы из хибинита — стилизованный эллипс — символизирует главную идею научного творчества К. Свиташева — развитие науки об эллиптически поляризованном свете и применение явления эллиптической поляризации света при отражении для диагностики ультратонких покрытий на поверхности полупроводников.
Мемориальная доска Свиташеву установлена на здании Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН
Учреждены стипендии имени К. Свиташева, ежегодно присуждаемые Учёным советом лучшим молодым сотрудникам Института физики полупроводников им. А. В. Ржанова СО РАН.
Данная страница на сайте WikiSort.ru содержит текст со страницы сайта "Википедия".
Если Вы хотите её отредактировать, то можете сделать это на странице редактирования в Википедии.
Если сделанные Вами правки не будут кем-нибудь удалены, то через несколько дней они появятся на сайте WikiSort.ru .